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内存倍增容量改制实践

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1#
发表于 2007-4-30 05:39:57 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式 来自: 吉林延边州延吉 来自 吉林延边州延吉

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将8位双面印刷版背面留空的,或是16位单面留空的内存倍增容量。
可以将两条32M的小内存拼成一条64M的内存,也可以将两条64M的内存拼合成128M的内存。需要256M的、512M的也一样类推。
找两条颗粒容量相同的内存(最好是同一个品牌和频率),将其中一条上的颗粒拆下,焊到另一条的背面或是单面空位上,补齐相关的电阻电容(你自己找到目标内存相同的条子查找相关元件参数),经过MEMDOC和RST等工具软件检测通过即可使用。
注意,SD内存可以不修改SPD内容,但是DDR内存一定要修改SPD。

本帖做法只适用于有一定经验的维修人员,恕不解答一些极简单的基础性的问题。完毕。

2#
发表于 2007-5-5 00:59:18 | 只看该作者 来自: 四川成都 来自 四川成都
为啥不修改SPD内容

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会员3311 该用户已被删除
3#
发表于 2007-5-9 01:19:58 | 只看该作者 来自: 山东淄博 来自 山东淄博
好资料一定要顶的,先顶再看

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会员6749 该用户已被删除
4#
发表于 2007-5-15 20:53:07 | 只看该作者 来自: 河南商丘 来自 河南商丘
这样也行,真是佩服了大哥!

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5#
发表于 2007-5-16 09:47:39 | 只看该作者 来自: 吉林延边州延吉 来自 吉林延边州延吉
原帖由 神话ソ杀手 于 2007-5-9 23:33 发表
哈哈,这方法我实践过,失败了,通电芯片发热,后来还原,以前的条子也不亮了,所以请大家不要乱试,

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本方法只适合于专业维修人员。烧颗粒的原因是颗粒焊接方向弄反了。

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