国外集成电路命名方法

会员4674

器件型号举例说明 ( 缩写字符：AMD 译名：先进微器件公司（美）)
AM
29L509
P
C
B

AMD首标
器件编号
封装形式
温度范围
分类

"L"：低功耗； D：铜焊双列直插  C：商用温度， 没有标志的
"S"：肖特基； （多层陶瓷）； （0-70）℃或 为标准加工
"LS"：低功耗肖特基； L：无引线芯片载体： （0-75）℃； 产品，标有
21：MOS存储器； P：塑料双列直插； M：军用温度， "B"的为已
25：中规范（MSI）； E：扁平封装（陶瓷扁平）； （-55-125）℃； 老化产品。
26：计算机接口； X：管芯； H：商用，  
27：双极存储器或EPROM ； A：塑料球栅阵列； （0-110）℃；  
28：MOS存储器理； B：塑料芯片载体 I：工业用，  
29：双极微处理器； C、D：密封双列； （-40～85 ）℃；  
54/74：同25； E：薄的小引线封装； N：工业用，  
60、61、66：模拟，双极； G：陶瓷针栅陈列； （-25～85）℃；  
79：电信； Z、Y、U、K、H：塑料 K：特殊军用，  
80：MOS微处理器； 四面引线扁平； （-30～125）℃；  
81、82：MOS和双极处围电路； J：塑料芯片载体（PLCC）； L：限制军用，  
90：MOS； L：陶瓷芯片载体（LCC）； （-55-85）℃＜  
91：MOS RAM： V、M：薄的四面 125℃。  
92：MOS； 引线扁平；   
93：双极逻辑存储器 P、R：塑料双列；   
94：MOS； S：塑料小引线封装；   
95：MOS外围电路； W：晶片；   
1004：ECL存储器； 也用别的厂家的符号：   
104：ECL存储器； P：塑料双列；   
PAL：可编程逻辑陈列； NS、N：塑料双列；   
98：EEPROM； JS、J：密封双列；   
99：CMOS存储器。 W：扁平；   
  R：陶瓷芯片载体；   
  A：陶瓷针栅陈列；   
  NG：塑料四面引线扁平；   
  Q、QS：陶瓷双列。

会员4400

我想知道我们国内一些专业的命名,看一个电路图全是代码,看不懂

会员3847

稍微编辑一下，使其容易看懂一点

器件型号举例说明 ( 缩写字符：AMD 译名：先进微器件公司（美）)
AM  29L509 P C B AMD

首标 器件编号 封装形式                                                              温度范围                  分类
"L"：低功耗； D：铜焊双列直插                                                  C：商用温度，         没有标志的
"S"：肖特基； （多层陶瓷）；                                                  （0-70）℃或           为标准加工
"LS"：低功耗肖特基； L：无引线芯片载体：                                （0-75）℃；           产品，标有
21：MOS存储器； P：塑料双列直插；                                        M：军用温度，         "B"的为已
25：中规范（MSI）； E：扁平封装（陶瓷扁平）；                       （-55-125）℃；      老化产品。
26：计算机接口； X：管芯；                                                    H：商用，      
27：双极存储器或EPROM ； A：塑料球栅阵列；                          （0-110）℃；  
28：MOS存储器理； B：塑料芯片载体                                        I：工业用，  
29：双极微处理器； C、D：密封双列；                                      （-40～85 ）℃；  
54/74：同25； E：薄的小引线封装；                                         N：工业用，  
60、61、66：模拟，双极； G：陶瓷针栅陈列；                           （-25～85）℃；  
79：电信； Z、Y、U、K、H：塑料                                             K：特殊军用，  
80：MOS微处理器； 四面引线扁平；                                          （-30～125）℃；  
81、82：MOS和双极处围电路； J：塑料芯片载体（PLCC）；          L：限制军用，  
90：MOS； L：陶瓷芯片载体（LCC）；                                       （-55-85）℃
91：MOS RAM： V、M：薄的四面                                               125℃。  
92：MOS； 引线扁平；   
93：双极逻辑存储器 P、R：塑料双列；   
94：MOS； S：塑料小引线封装；   
95：MOS外围电路； W：晶片；   
1004：ECL存储器； 也用别的厂家的符号：   
104：ECL存储器； P：塑料双列；   
PAL：可编程逻辑陈列； NS、N：塑料双列；   
98：EEPROM； JS、J：密封双列；   
99：CMOS存储器。 W：扁平；   
  R：陶瓷芯片载体；   
  A：陶瓷针栅陈列；   
  NG：塑料四面引线扁平；   
  Q、QS：陶瓷双列。

[ 本帖最后由 张先生 于 2007-4-15 08:32 编辑 ]

会员3847

国外集成电路命名方法(电路系列缩写符号,全面介绍了国外集成电路命名方法)，这是网上能找到的最全的资料，为元器件查找必备。

[ 本帖最后由 张先生 于 2007-4-15 08:47 编辑 ]