联想E42L 主板LA-3541P开机掉电。
1 用户说在运行中强行关机后电脑不开机，开时时指示灯亮两下就灭了。有时又可以开机且进系统。
2 检测开机电流有时到0。27掉电。有时进系统又正常，反取掉电池反复试机。发现有时可以开机，有时不开机但电流可以到4A左右掉电。这个机器正常运行电流2A左右，拆开后盖发现CPU温度非常高，估计掉电是温度保护掉电。也估计那个大电流是CPU的电流引起的。会不是是CPU不良呢，换个CPU电流同样很大到4A左右掉电。温度很高，确定散热系统没有问题。（内存换过）
3于是给用户报价,让用户一天左右等电话，确定主板坏。
4 放了一会，另外一个同事拿本本来一开机又正常了，反复搞跑3D都正常，试机半天都没问题。
5 第二天又拿本本试机又不开机了现象是等机电流0。07A跑到0.08A后电流变成0.于是确定供电部分可能有短路或其它原因引起的保护.
6 全拆笔记本后发现8734A无3V 5V输出,ON3 ON5 和芯片SHDOWN#都正常..取掉电路中的JUMP点,后供电正常,一个一个焊上那个点后发现是3.3V电路有问题,那个点一焊上就5V3V都不输出了.
7于是单独从JUMP点供外接3V 5V电压开始电流很大,3A以上,估计这个不是电路短引起的面是因为在路的芯片和MOS管下管在外接电压后下管导通了(中间用手摸过两个管管),不可能3V和5V的下管一起坏吧.于是断开JUMP点只外接3V 5V电压到负载电路,发现5V电流基本上没有,而3.3V电流为0.3A.
8 会不会是3.3V电路有短路呢,于上接上3.3V10分钟左右摸相关电路发现网卡电路微热,于是断开网卡供电J11 后全部恢复发现3V 5V供电都正常.然后取了网卡芯片装上J11 3V 5V.供电都正常,心中暗喜估计是找到故障了.
9 准备定网卡芯片了,以防万一还是先试一下机再说,.但是电流还是从0.07A变到0.08A后变成0了.
10 再装上电池试一下,发现装上电池后根本没有3V5V输出,只是把那个开关键按住3V5V才出来,一起按就一直有.松开就没有了.
11 突然想起前一天在芯片背面因为两个电容上面有点透迹,曾擦过,但只是习惯性的擦了一下.并没有注意.用放大镜再看了一下其中3.3S相连的那个CPC49一端变黑了,查图为0.1UF的,到哪里去找呢,想起8400显卡上全是这个电容,取两个把3V和5V的自举电容全部换掉PC49 PC50,测试开机一切正常.昨天当时也看了一下电容,心里想这些个小电容 要不要都没多大关系机器不是正常过嘛.现在一分析,,没对这两个电容正好是高端门的自举电容.自己太马虎了.
12 机器修好了总结一下:我外接3.3V电路中电流为0.25A左右是正常的,那个是网卡芯片的电流,自己是形成习贯了,把经当成成19V的等机电路来看等了,如果19V的等机为为这么大就不对了.修好机器后用放大镜看了一下那个电容上方正好是触摸板,那个地方有少量液体干了的痕迹.看来是曾经给电脑少量喝过欣料.看来还是要细心啊.细心少走弯路.还有一个就是高端门电容坏后如果断开网卡供电接适配器是有3V5V供电的但是接电池就没有3V5V供电，电路设计如此。记得曾经有一个IBM的CPU供电电路有一个电容 坏我用的就是上电池与上适配器分析出来的，好象那个地方上电池那个地方的供电就正常但不是PWM电路形成的，但接适配器那个波形闪一下就没有了，最后是换掉那个输 出电容就好了，具体哪 个机器都忘了。
13顺便说一下这个机器的正常等机电流是0.04A.后来当然又把网卡芯片装上去了本来就没坏.还有一个不解之处是为什么会引起CPU那么高的温度，电流那么大。
另：转载关于那个电容的的一段文章如下
我们知道 方波是由-5v到+5v（不一定是这个数值 这里假设一下） 理论上方波是从ov上升到5v的时候时间是0t 也就是没有时间上的延迟的 如果是这样 就不需要设计这个boost升压电容了 因为各种原因 包括方波发生器的误差 电路上的寄生电容等等的原因 方波都有一定的变形 时间上有一定的延迟 也就是说波形从0v到5v的时候有一个过程 这个过程使上管在从截止到导通的时候不是直接变化的 而是在放大区有一个时间段 我们知道 理论上的pwm电路 mos管都是只工作在截止和导通的状态 效率才是最高的 如果在放大状态 就有一定的功率损耗 而且对于mos管的功耗增加 所以我们在设计pwm电路的时候就要尽量减少从0v到5v的这个时间段 而这里这个电容可以起到这样的作用 下面我们来分析一下
在引脚BST3与LX3之间跨接了一个0.1uF的自举升压电容，在DH3为低电平时关断上管，此时DL3为高电平打开下管MOS管，这样就把输出端的LX3强拉到地，此时，5V电压VL通过二极管d1给电容充成上正下负的电压。在上管MOS管打开的时候，下管截止，电容向BST3放电两个电压叠加给高端门驱动器 通过电容的放电 相当于给了一个瞬间的电压给上管的g极 这样大大提高了DH3的从截止到饱和速度 使得mos管减少在放大区的时间 使外部MOS管能提高工作效率 减少功耗 增加工作可靠性 !
另外 在方波的下降沿 这个电容在dh3输出低电平 dl3输出高电平上管截止 下管导通的时候 电容的的下端接地 根据电容两端电压不能突变的原理 上端的电压被拉成0v 这个0v叠加在上管的g极 同时让上管更加快速的从饱和导通退出到截止 也减少了上管停留在放大区的时间 提高了效率
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狗仔卡
发表于 2011-5-25 21:46:19
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