IBM T30电路问题

会员75846 · 发表于 2010-5-3 11:24:41

马上注册，获取阅读精华内容及下载权限

您需要登录才可以下载或查看，没有帐号？注册

x

如图可以肯定7413复合管是好的，N沟管，实测G极为0V，S，D都为12V

登录/注册后看高清大图

会员207938 · 发表于 2010-5-3 11:30:21

lz想说什么

会员203436 · 发表于 2010-5-3 12:41:20

本身就是低电平开启

会员207938 · 发表于 2010-5-3 13:15:37

ls 这个是n沟道的 lz想告诉我们这里是低电平了两端怎么还是12v吗

会员200370 · 发表于 2010-5-3 13:52:14

去掉它看看S和D的电压。

会员75846 · 发表于 2010-5-3 14:28:08

本身就是低电平开启
xiejunli 发表于 2010-5-3 12:41

登录/注册后看高清大图

N沟MOS，是低电平开启？

会员6352 · 发表于 2010-5-3 15:05:34

论坛里曾经有一个几十楼的大贴，讨论过这个问题
地址我不记得了
说简单点，意思如下：
看了那个二极管没有，注意一下那个二极管的方向
即使G为低电平，虽然管子截止，但是因为那个二极管的正向导通，所以场管输出低于输入电压0.7V左右的电压
，提供一个低电流的VINT16，以此供TB62501芯片的36 37脚的升压回路，以产生二十几V的DCIN_DRV，来驱动Q36
这是以T40为例子

至于在T30中
我认为Q8这样设计的原因是让通过一个小电流的M_BAT_PWR_A,为Q10的G极提供导通电压（R483 R638分压后约3C，个人认为此时M2_DRV应该被拉到地）

总之，IBM的这种设计，就是为后级提供一个电流比较小的电压，去驱动后级一些需要预先开启的芯片或者信号

个人观点，仅供参考

会员75846 · 发表于 2010-5-3 15:35:26

楼上说得好，实测Q8 D和S极，电压相差0.7V左右，因为是刚开始学修本本，有些还是理解不了

会员207938 · 发表于 2010-5-3 23:27:13

http://www.chinafix.com.cn/thread-142167-1-1.html
这个帖子你看看吧

会员202269 · 发表于 2010-5-4 00:06:48

N沟道的是G级高电平导通,P沟道的是G级低电平导通,基础知识很重要.自己套吧~~~

IBM T30电路问题

马上注册，获取阅读精华内容及下载权限

相关帖子

浏览过的版块