請教如何製作內存補位條?

会员12806

如何製作內存補位條?

小弟有意做內存回收的生意 請教如何製作內存補位條?
是否有人能解釋一下做法 或有那些資料可以參考

                                                           謝謝

会员3847

这里还没有听人说过谁会做。据我所知要用能分区的设备先处理过。

会员11106

区分一下，方法：
位就是位元，数据位，bit, DQ, data, ，，
每一支内存条构成所要求最低满足64个数据位，或者128个数据位。
一般的正规的OK IC颗粒有4个位，或者8个位，或者16个位。

以64个数据位的内存条为例：
假若用8位的IC来做，则需要8颗。

以一个8位的IC为例：
正常OK的就有8个位，
若该IC不良，内部坏了4个位，那么还可以利用另外的4个位。
我们可以称它是降级IC。
若用这种IC做一支64位的内存条，
那么需要8颗是不够的，必须是16颗才可以。
用正面IC的4个好位去与反面的IC的4个好位，互相补成8个位。
这样也构成一支内存条。
可以称它为补位内存条。

补位内存条光从IC的数量不一定能判断，
也即是16颗不一定就是补位条。
请千万注意区分。

听朋友讲述，只于制做？

[ 本帖最后由 张兵 于 2007-9-1 12:32 编辑 ]

会员12707

製作內存補位條?什么东西来的啊

会员3847

4楼说的完全正确。现在的内存是有保留部分的，通过调整可以替掉坏的，也就是有些内存颗粒是可以修复的

[ 本帖最后由 张先生 于 2007-9-1 12:59 编辑 ]

会员10201

不懂啊。没有听过哦，

会员12806

不知张先生 說的能分区的设备 是否是這台機 JS9200内存分区检测仪 ???

会员3847

请想办法找到他的说明书，自然就明白了。如果看不懂，发上来，大家给你看。

会员12806

JS9200内存分区检测仪
說明書
                                   
          小弟才疏學淺 請各位高手看看   最好能解釋一下

                                                                 先 謝謝了


本检测仪能够对DDR2/DDR/SD内存芯片检测之后，如果芯片只有部分数据线路故障或坏区，能对故障内存芯片进行分区，变位，利用其中部分正常工作的储存空间（俗称：缺位内存芯片）。方法如下：
一，直接分区变位（多位数据位内存芯片变成少位数据位内存芯片）
能够直接分区变位的内存芯片条件是：芯片的行地址相同。
直接分区变位之后的缺位内存芯片可以与同容量同位数的完好内存芯片一样使用，（电气性能完全一样）。直接分区方法如下：
DDR2/DDR内存芯片的直接分区：行地址相同的内存芯片分类为：
〈1〉（1024Mb——4096Mb）行地址相同。    俗称：256Mb X 4，512Mb X 4，1024Mb X 4，128Mb X 8，256Mb X 8，512Mb X 8，   64Mb X 16，128Mb X 16 ，256Mb X 16 。
〈2〉（256Mb——512Mb）行地址相同。       俗称：64Mb X 4，128Mb X 4，32Mb X 8，64Mb X 8，16Mb X 16，32Mb X 16 。
〈3〉128Mb行地址相同。俗称：8Mb X 16，16Mb X 8，32Mb X 4。
注：即全部的DDR内存分为以上三类行地址相同，DDR同一类之间才能进行直接分区。举例：〈2〉类中 32Mb       32Mb X 8。
例子中分区前的芯片与分区后的芯片只改变数据位，X 16      X 8
注意：直接分区后的芯片型号必需与分区前的芯片型号在同一类中。
SD内存芯片的直接分区：行地址相同的内存芯片分类为：
〈1〉（256Mb——1024Mb）行地址相同。      俗称：64Mb X 4，128Mb X 4，256Mb X 4，32Mb X 8，64Mb X 8，128MB X 8，
16Mb X 16，32Mb X 16，64Mb X 16。
〈2〉（64Mb——128Mb）行地址相同。        俗称：16Mb X 4
32Mb X 4，8Mb X 8，16Mb X 8，4Mb X 16，8Mb X 16。
注： 即全部的SD内存分为以上二类行地址相同，同一类之间才能进行直接分区。举例：〈1〉类中64Mb X 8         64Mb X 4        
例子中分区前的芯片与分区后的芯片只改变数据位，X 8      X 4
注意：直接分区后的芯片型号必需与分区前的芯片型号在同一类中。
（能够直接分区的条件是：芯片分区后与分区前的型号行地址相同）
二，间接分区变位（多数据位内存芯片变成少数据位内存芯片）
间接分区后的芯片与分区前的芯片行地址不要求相同。
间接分区后的芯片与分区前的芯片电气性能不同，但相差只是行地址数量不同，相差最高位地址线，所以间接分区的内存芯片不能直接代换同型号的内存芯片，但是在应用时只要能提供行地址线相同，芯片的存储功能与同型号芯片是一样。DDR2/DDR/SD间接分区方法如下：
间接分区分为二种类型：（正常数据位和非正常数据位）
正常数据位间接分区为：分区后的芯片数据位为：X 4，X 8，X 16。
例如：32Mb X 8       32Mb X 4  
32Mb X 8与32Mb X 4的行地址不同，
16Mb X 16       16Mb X 8
16Mb X 16与16Mb X 8的行地址不同，
非正常数据位间接分区为：分区后的芯片数据位不是X 4，X 8，X 16。
例如：32Mb X 4        32Mb X 2 （X 2不是正常数据位）
16Mb X 16        16Mb X 14 （X 14不是正常数据位）
内存芯片分区综合描述：
芯片的分区必需先考虑是否能直接分区（直接分区后芯片价值最大）
不能直接分区时才考虑采用间接分区，在间接分区中必需先考虑正常数据位间接分区，最后才是非正常数据位间接分区。
内存芯片经过分区后的存储容量将减少，有故障的存储单元落在减少部分。只使用完好的存储单元。

会员3847

一，直接分区变位（多位数据位内存芯片变成少位数据位内存芯片）
能够直接分区变位的内存芯片条件是：芯片的行地址相同。
直接分区变位之后的缺位内存芯片可以与同容量同位数的完好内存芯片一样使用，（电气性能完全一样）。
二，间接分区变位（多数据位内存芯片变成少数据位内存芯片）
间接分区后的芯片与分区前的芯片行地址不要求相同。
间接分区后的芯片与分区前的芯片电气性能不同，但相差只是行地址数量不同，相差最高位地址线，所以间接分区的内存芯片不能直接代换同型号的内存芯片，但是在应用时只要能提供行地址线相同，芯片的存储功能与同型号芯片是一样。

会员12588

看的一头雾水啊，有待学习啊

会员12806

謝謝張先生指教,大約瞭解了