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本帖最后由 shaopeijie 于 2025-3-21 17:36 编辑
本人软件工程师，爱好捣鼓硬件。因为工作需要经常跑虚拟机，原机16GB内存动不动就爆满，看了看某宝升级内存的价格下有点不去手(都是996挣的血汗钱)，于是就想着自己升。因为平时经常看某音“浙江吴彦祖”、“大师兄”等大师的维修视频，感觉自己又行了 ，但隔行如隔山，没想到过程相当艰难。
Surface Pro8升级内存主要有6步：拆屏+换颗粒+改识别电阻+改BIOS+测试+装屏。
苏菲拆机难度大，各位如果想自己升，需要做好充分准备，拆坏了别来骂我。
【拆屏】
难度：五颗星
工具：吹风机+吸盘+拆机片
拆屏幕难度极大。SP8的边框很窄而且面板很薄，一不小心就会割伤排线或者拆裂屏幕，一张屏幕都够升两次内存了。
我采用的土办法是让机器处于亮屏状态，然后用吹风机加热屏幕四周，用吸盘吸喇叭位置，使屏幕翘起一条缝，再用拆手机后盖那种很薄的拆机薄片慢慢割。割的同时观察屏幕是否有液晶挤压，显示是否正常，如果没有，再一点点往里面割(窄边最多割进去3mm左右，底部要注意排线位置，顶部可以深一些)，最终花了近一小时才把它无损搞下来。
【换颗粒】
难度：四颗星
工具：热风枪+加热垫(非必须)
器件：4颗镁光MT53E2G32D4NQ-046
Surface Pro8最大支持32GB内存，4片板载颗粒，每片容量8GB/64Gbit。根据图纸上的标注，8GB颗粒只有海力士H9HCNNNFAMMLXR-NEE和镁光MT53E2G32D4NQ-046，我选用的是镁光, 因为货源充足+便宜，而且原机内存也是镁光。在表中之外的颗粒型号BIOS是无法支持的，除非能找到跟两款型号时序参数一致的颗粒。改BIOS二进制代码是不可能的，都有数字签名。
（图片来自https://www.chinafix.com/thread-1365372-1-1.html）
在正式开搞前弄了条报废内存练手，尽可能保证一次成功。
SP8用的高温锡，吹的时候要用湿纸巾包住CPU和不耐高温的器件。拖焊盘是向大师们学的，用低温锡置换高温锡后再用吸锡带拖平，防止焊盘阻焊层脱皮掉点。注意SP8主板上没有内存的丝印，拆颗粒之前可以用铅笔在主板上沿着颗粒边缘划线标记一下。
焊接参数：房间温度15度，热风枪温度400度，最大风力，另外用加热垫把板子预热到70多度。
焊接清洗后的效果如下图：
【改识别电阻】
难度：三颗星
工具：烙铁
器件：634R 0201电阻
一般笔记本是通过上下拉数字电平编码选择内存，而Surface Pro8是通过电阻分压AD采样，电路图如下图，R3432控制采样电压，上表Resistor Value就是对应的电阻值，实际选取时只要在理论值附近即可（AD采样有一定容差）
（图片来自https://www.chinafix.com/thread-1365372-1-1.html）
R3432对应主板的位置在SAM芯片(应该就是EC吧？)右上角，离SAM很近很近，以至于不敢用热风枪吹，用的很尖的烙铁焊上去的。
这颗电阻是0201封装的，实在太小，没有显微镜的情况下只能凭感觉焊，通过手机微距放大检查焊接情况，再通过测量右边R3406 2K电阻的阻值变化确认已焊接稳妥。
根据颗粒型号，我选用的是634欧姆电阻，焊接后的效果如下：
【改BIOS】
难度：两颗星
读写BIOS工具： CH341A+NeoProgrammer V2.2.0.10
操作：拆BIOS芯片-->读取BIOS内容-->清除BIOS内存配置-->烧回BIOS-->焊回BIOS
避坑1：有些编程器无法读取16MB以上FLASH(不支持4字节地址)，或者读取出来错的。必须确保编程器能读取完整BIOS，否则烧回去可能就不开机了，
苏菲的机型信息写在BIOS NVRAM里，搞丢了弄回来挺麻烦的。
避坑2：焊接BIOS温度要低一点，350度以内。我就是没经验，没打焊油400度直接干，把FLASH干挂了(幸好不是拆的时候挂)，关于换FLASH，可以参考https://www.chinafix.com/thread-1379901-1-1.html
为啥要改BIOS呢？网上没有找到Surface Pro8升级内存修改BIOS的教程，采用逆向分析BIOS内存初始化代码获知修改方法，算是首次公开？
下图是Surface Pro8 BIOS内存初始化流程(Surface Pro9/10也大差不差)：
FspNvsBuffer的作用是加速开机，内存训练需要十几秒到一分钟不等，如果每次开机都重新训练，开机速度就太慢了。
所以BIOS把训练好的数据命名为“FspNvsBuffer”保存在NVRAM中，下次开机直接用训练好的数据。我认为苏菲的BIOS
没写好，当内存型号变更时(当然这也是软件非预期的行为)，傻傻的不知道要重新训练。
知道了原理，修改BIOS的方法就很简单了，只需要修改NVRAM，把FspNvsBuffer变量从NVRAM中删除即可。
删除方法1：手动删除
（1）用UEFITool打开BIOS固件，查找NVS中的FspNvsBuffer变量，定位到变量在BIOS文件中偏移位置
（2）使用hex工具把AA 55后面的3F改成3C即可（3F表示变量有效，3C表示变量已删除）
删除方法2：使用我写的脚本SurfaceMemoryCfgClear.py
详见附件
（1）在windows上安装python3.8或更新的版本
（2）在SurfaceMemoryCfgClear.py打开cmd.exe
（3）执行python SurfaceMemoryCfgClear.py XXXX.bin
（4）在当前文件夹下会自动生成修改好的BIOS文件 __out_image.bin
工具支持清理Surface Pro8的内存配置，Surface Pro9/10理论上也可以，但是我没机器测试。如果有人试了，请帮忙发个反馈。
【测试】
使用memtest86和AIDA测试内存稳定性，确保装机前硬件是稳定的，避免再次拆机。
【装屏】
淘宝不知道为啥买不到Surface Pro8的屏幕胶条，为了省心买了Surface Pro9的，会稍微挡住一点点红外发射管，自己稍微割一下就行。胶不能覆盖的地方，自己再加一点就好。
【Surface Pro8的开机电流和现象】
测试是裸板不装电池、摄像头的情况下，通过Type-C口测试的。
（1）不插硬盘：Type-c 20v不升压, 电源输出5V, 有微小电流(估计是给Type-C芯片供电)
（2）插入硬盘: Type-c 输出20v, 刚开始电流几乎为0 ，过几秒后有60ma左右电流
（3）插入硬盘、接上屏幕，没有焊BIOS芯片或者BIOS里面程序为空时：
Type-c口输出20V，过一会回落5V，然后又升压到20v，循环往复，然后像是EC reset了。
（4）插入硬盘、接上屏幕，焊接BIOS但没有清理内存配置:
开机定电流0.9(cpu温度较低约20多度)~1.2A(cpu温度较高烫手时)。随着温度升高电流会越来越大。
（5）插入硬盘、接上屏幕，焊接BIOS并且已清理内存配置:
开机电流0.4(cpu温度较低约20多度)~1.5A(cpu温度较高烫手时)之间跳动，大约几十秒后内存训练结束，机器开机。
（6）如果ME和FLASH不匹配，开机会卡很久，并且找不到内置硬盘，进入BIOS后看到ME版本号为0.0.0.0。
（7）如果ME签名不对或ME配置错误(BIOS刷错了)，按开机logo亮, 电流会定在0.6A左右，C口能够保持20V电压。
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狗仔卡
发表于 2025-3-21 17:08:11
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