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本帖最后由 小天一线 于 2025-3-18 10:16 编辑
家里最大的那个说，这笔记本太卡了，是不是可以升级内存。为了满足她轻办公的需求，想想还是把这台老爷车的笔记本升级下吧。起初想的是直接升16g。但是这款13年的A1466最大只支持8g，网上也有升级16g的大神，需要修改bios的spd信息，一个是对于修手机的我来说，这个知识盲区，网上也捡不到现成的修改好的bios bin文件，二一个是没有读写工具，那么只能退而求其次选择升级8g，对于这款老爷车8g够用了，低压u，就算升级到100g也没啥软用。 说干就干，找资料买内存，感谢这个大平台能找到这款机子的原理图和点位图。 下面就正式开始吧； 首先咱们先理论分析一下内存升级需要更改的识别电阻序列。 我这款机子用的是尔必达单颗1g，4g内存颗粒，运气比较好，捡了拆机内存也是尔必达的单颗2g。8g内存颗粒。 根据原理图的H和L识别信号，找到对应识别电阻 原4g内存信号是RAMCFG0：H，RAMCFG1：H，RAMCFG2：L，RAMCFG3：L 对应识别电阻详细组合方式： RAMCFG0：H对应的是R1611（100k电阻），L对应的是R2053（空） RAMCFG1：H对应的是R1635（100k电阻），L对应的是R2052（空） RAMCFG2：H对应的是R1636（空）， L对应的是R2051（10k电阻） RAMCFG3：H对应的是R1631（空）， L对应的是R2050（10k电阻） 更换8g内存信号是RAMCFG0：H，RAMCFG1：H，RAMCFG2：H，RAMCFG3：L 对应识别电阻详细组合方式： RAMCFG0：H对应的是R1611（100k电阻），L对应的是R2053（空） RAMCFG1：H对应的是R1635（100k电阻），L对应的是R2052（空） RAMCFG2：H对应的是R1636（100k电阻）， L对应的是R2051（空） RAMCFG3：H对应的是R1631（空）， L对应的是R2050（10k电阻） 对比一下，就是RAMCFG2这组需要变动，补上R1636（100k电阻）,去掉R2051（10k电阻）就完事儿。 为了方便找到电阻在相应点位图上做好标记：
理论分析完成，接下来就是实践了。 第一步拆机：苹果的笔记本相对来说还是好拆的，但是拆的时候特别要注意那些软排线，不要漏拔了，一拉就断了。详细拆机过程就不放图片了。记住第一步先断电池。 第二步：拆除原内存颗粒：这里要注意的是风枪温度和风速一定要给够，笔记本板子大，升温慢，散热快，一定要时间长一点，不要用镊子硬拔，容易掉点，有些人怕背面cpu爆，我看了下这板子贼厚，多吹一会儿一点事儿没有，我是400度，80风差不多3分钟左右下完，然后焊盘处理干净。 第三步：上新内存颗粒，我买的拆机的没植过球，还得一颗颗植球。
第四步：干上她，这里注意焊油稍微多一点，我打的有点少，然后一个点比较重要，苹果的板子都没有对位线，一定要对准位置，别偏了。同样的400度，80旋风，一颗一颗干上去。
干上去后的效果，还不错吧,干完后记得测量周边电容有没有短路。 第五步：更改识别电阻，这里没有拍照，根据上述理论直接补上补上R1636（100k电阻）,去掉R2051（10k电阻）. 第六步：装机测试，完美，一次点亮
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