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本帖最后由 小天一线 于 2025-3-18 10:16 编辑
家里最大的那个说,这笔记本太卡了,是不是可以升级内存。为了满足她轻办公的需求,想想还是把这台老爷车的笔记本升级下吧。起初想的是直接升16g。但是这款13年的A1466最大只支持8g,网上也有升级16g的大神,需要修改bios的spd信息,一个是对于修手机的我来说,这个知识盲区,网上也捡不到现成的修改好的bios bin文件,二一个是没有读写工具,那么只能退而求其次选择升级8g,对于这款老爷车8g够用了,低压u,就算升级到100g也没啥软用。 说干就干,找资料买内存,感谢这个大平台能找到这款机子的原理图和点位图。 下面就正式开始吧; 首先咱们先理论分析一下内存升级需要更改的识别电阻序列。 我这款机子用的是尔必达单颗1g,4g内存颗粒,运气比较好,捡了拆机内存也是尔必达的单颗2g。8g内存颗粒。 根据原理图的H和L识别信号,找到对应识别电阻 原4g内存信号是RAMCFG0:H,RAMCFG1:H,RAMCFG2:L,RAMCFG3:L 对应识别电阻详细组合方式: RAMCFG0:H对应的是R1611(100k电阻),L对应的是R2053(空) RAMCFG1:H对应的是R1635(100k电阻),L对应的是R2052(空) RAMCFG2:H对应的是R1636(空), L对应的是R2051(10k电阻) RAMCFG3:H对应的是R1631(空), L对应的是R2050(10k电阻) 更换8g内存信号是RAMCFG0:H,RAMCFG1:H,RAMCFG2:H,RAMCFG3:L 对应识别电阻详细组合方式: RAMCFG0:H对应的是R1611(100k电阻),L对应的是R2053(空) RAMCFG1:H对应的是R1635(100k电阻),L对应的是R2052(空) RAMCFG2:H对应的是R1636(100k电阻), L对应的是R2051(空) RAMCFG3:H对应的是R1631(空), L对应的是R2050(10k电阻) 对比一下,就是RAMCFG2这组需要变动,补上R1636(100k电阻),去掉R2051(10k电阻)就完事儿。 为了方便找到电阻在相应点位图上做好标记:
理论分析完成,接下来就是实践了。 第一步拆机:苹果的笔记本相对来说还是好拆的,但是拆的时候特别要注意那些软排线,不要漏拔了,一拉就断了。详细拆机过程就不放图片了。记住第一步先断电池。 第二步:拆除原内存颗粒:这里要注意的是风枪温度和风速一定要给够,笔记本板子大,升温慢,散热快,一定要时间长一点,不要用镊子硬拔,容易掉点,有些人怕背面cpu爆,我看了下这板子贼厚,多吹一会儿一点事儿没有,我是400度,80风差不多3分钟左右下完,然后焊盘处理干净。 第三步:上新内存颗粒,我买的拆机的没植过球,还得一颗颗植球。
第四步:干上她,这里注意焊油稍微多一点,我打的有点少,然后一个点比较重要,苹果的板子都没有对位线,一定要对准位置,别偏了。同样的400度,80旋风,一颗一颗干上去。
干上去后的效果,还不错吧,干完后记得测量周边电容有没有短路。 第五步:更改识别电阻,这里没有拍照,根据上述理论直接补上补上R1636(100k电阻),去掉R2051(10k电阻). 第六步:装机测试,完美,一次点亮
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