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富士通发布8Mb FRAM内存:读写寿命100万亿次

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1#
发表于 2021-11-18 10:38:02 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式 来自: 甘肃 来自 甘肃

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富士通(确切地说是富士通半导体内存解决方案有限公司)今天宣布,推出 全新的8Mb FRAM内存,容量翻番,并支持并行接口,读写寿命第一次做到了100万亿次!
FRAM就是 铁电存储器 ,一种随机存取存储器,拥有SRAM、DRAM级别的读取速度和寿命,而且是非易失性的,断电不丢失数据。
它的缺点是容量密度做不大,因此不可能彻底取代DRAM、SRAM,但在一些对容量没有过高要求、对寿命/速度敏感的场景和设备上非常合适,尤其是高速工业场景。
其实,铁电存储技术不是新鲜玩意儿, 1921年就有了这一概念。 虽然直到1993年才由美国RAmtron公司开发出第一个4Kb FRAM产品,但近些年来已经得到了广泛应用。
富士通最新的MB85R8M2TA FRAM具备兼容SRAM的并行接口,供电电压范围1.8-3.6V, 拥有超长读写寿命的同时,比以往产品访问速度快了约30%,快页模式下访问速度仅25ns,持续传输率媲美SRAM。
同时功耗也更低, 最大写入电流只需18mA(毫安),最大待机电流更是150uA(微安),分别降低了10%、50%,
它采用了44针的TSOP封装,和上代4Mb FRAM一样保持兼容,还新增了48针的FBGA封装。
富士通8Mb FRAM内存现已提供评估样品,量产时间未公布。



2#
发表于 2021-11-20 10:35:55 | 只看该作者 来自: 湖南张家界 来自 湖南张家界
好东西,一片用一世,只是容量太小

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3#
发表于 2021-11-24 07:43:52 | 只看该作者 来自: 广东中山 来自 广东中山
注意mb大小写。

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4#
发表于 2021-12-24 09:21:58 | 只看该作者 来自: 美国 来自 美国
THANKS FOR SHARING....UPDATES

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