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Q1Q2应该指上下两个MOS管。用数字万用表测量出 S极接地的为下管,上管的S极和下管的D极导通。 MOS管按极性分为:N沟道、P沟道。 N沟道:万用表打到二极管挡,黑笔接D极,红笔接S极,测出来 有阻值400-700欧,反向无穷大“1”,此管为N沟道。 P沟道:万用表打到二极管挡,红笔接D极,黑笔接S极,测出来有阻值400-700欧,反向无穷大“1”,此管为P沟道。 好坏判断:万用表打到二极管挡测量,只能有D/S极正向有阻值400-700欧,反向无穷大“1”,另外G/D和G/S正反向都为无穷大“1”就是好的。 注意:主板上的MOS管一般全都是N沟道的,楼主按照N沟道的来测就可以,另外在主板上测不一定准确,应取下来放电(G极和S极短接)后测量为准确。 1、测量 极性及管型判断 红笔接S、黑笔接D值为(300-800)为N沟道 红笔接D、黑笔接S值为(300-800)为p沟道 如果先没G、D再没S、D会长响,表笔放在G和最短脚相连放电,如果再长响为击穿 贴片场管与三极管难以区分,先按三极管没,如果不是按场管测 场管测量时,最好取下来测,在主板上测量会不准 2、好坏判断 测D、S两脚值为(300-800)为正常,如果显示“0”且长响,场管击穿;如果显示“1”,场管为开路 软击穿(测量是好的,换到主板上是坏的),场管输出不受G极控制 当上管导通时,下管关闭,此时电流经过电感L2(相当于一段导线)供给负载.接地形成回路。
当下管导通时,上管关闭, 因为电感L2(电感作用阻碍瞬间电流变化,因为上管关闭,流经L2电流突然变小,为阻碍变小,就形成一个原电流方向的电流,电流衰减小,仍然可以供给负载,此时电感L2就是供电源,电流方向不变)和电容的作用,电流从电感右端出发,供给负载,然后接地,到下管的D级,再到S级,回到电感左边。 为什么下管G级电压要大(10V左右),目地是减少D到S级的阻抗,这样接地级的电势应该不高。 为什么上管G级电压低,从12V到1.2V,要一个比较大的阻值,所以G级电压相对低(2.5V左右)。 型号MMBT3906 丝印 2A 参数 0.2A/40V PNP 型号PMBT3906 丝印W2A 参数 200MA 40v PNP 型号PMBS3906 丝印T06 / W06 参数 0.2A/40V PNP 型号MMST3906 丝印K5N 参数 0.2A/40V PNP 型号MMBT3906TT1G 丝印 2AM 参数 200MA 40v PNP 型号 MMBT3904 丝印 1AM 参数0.2A/40V NPN 型号PMBT3904 丝印W1A 参数200MA 40v NPN 型号PMBS3904 丝印T04/W04 参数200MA 40v NPN 型号MMST3904 丝印K2N 参数200MA 40v NPN 型号KST3904 丝印1A 参数200MA 40v NPN 型号MMBT4401 丝印2X 参数0.6A/40V NPN 型号 MMBT4403 丝印 2T 参数0.6A/40V PNP 型号MMBT5401 丝印 2L 参数150V 500mA PNP 型号MMBT5551 丝印 G1 参数150V 500Ma NPN 型号MMBTA42 丝印 1D 参数300V 100mA NPN 型号MMBTA92 丝印 2D 参数300V 500mA PNP 型号MMBT2222 丝印1P 参数0.6A/40V NPN 型号MMBT2222A 丝印W1P 参数0.6A/40V NPN 型号FMMT3903 丝印1W 参数0.2A/60V NPN 型号MMBT3903 丝印1Y 参数0.2A/60V NPN 型号MMBT3960A 丝印 1T 参数 0.2A/40V PNP 型号MMBT2907 丝印2F 参数0.6A/40V PNP 型号 S4160T 丝印WU5或U5 参数60v1A NPN 型号S5160T 丝印WU6 或U6 参数60v1A PNP 型号 BC846B 丝印H2F 参数80 0.1A NPN 型号BC807 丝印5A 参数50V 0.5A PNP 型号9011 丝印 1T 参数18V 100mA NPN 型号9012 丝印 2T 参数25V 500mA PNP 型号9014 丝印 J6 参数18V 100 mA NPN 型号9015 丝印 M6 参数20V 25mA PNP 型号S8050 丝印J3Y 参数1.5A/25V NPN 型号S8550 丝印 2TY 参数1.5A/25V PNP 型号8050 丝印Y1 参数1.5A/25V NPN 型号8550 丝印 Y2 参数1.5A/25V PNP 型号2SA1015 丝印BA 参数 50V 150mA PNP 型号2SC1815 丝印 HF 参数 50V 150mA NPN 型号2SC945 丝印 CR 参数 50V 100mA NPN 型号BCV71 丝印K7p 参数60V、0.1A NPN 型号DMN601K 丝印K7K 2N7002代换 参数60V 0.3A N沟道带阻 型号BC807-16 丝印 5A 参数 45V 500mA PNP 型号BC807-25 丝印 5B 参数 45V 500mA PNP 型号BC807-40 丝印 5C 参数 45V 500mA PNP 型号BC817-16 丝印 6A 参数 45V 500mA NPN 型号D882 丝印05HM (SOT-89) 参数3A/30V NPN 型号SI2306 丝印A6SHB 场效应管 MOS 参数3.5A/30V N 沟道 型号2N7002 丝印702或12W 参数 0.15A/60V N带反向二极管 N沟道FET 型号BC817-25 丝印 6B 参数50V 500mA NPN 型号BC817-40 丝印 6C 参数80V 100mA NPN 型号BC846A 丝印 1A 参数80V 100mA NPN 型号BC846B 丝印 1B 参数80V 100mA NPN 型号BC847 丝印 1H 参数45V100mA NPN 型号BC847A 丝印 1E 参数 40V 250mA NPN 型号BC847B 丝印 1F 参数 40V 250mA NPN 型号BC847C 丝印 1G 参数 40V 250mA NPN 型号BC848A 丝印 1J 参数30V 0.1A NPN 型号BC848B 丝印 1K 参数0.1A/30V NPN 型号BC848C 丝印 1L 参数30V 0.1A NPN 型号BC856A 丝印 3A /3Ap/3At 参数80v 0.1A PNP 型号BC856B 丝印 3B 参数80v 0.1A PNP 型号BC857A 丝印 3E 参数50v 100mA PNP 型号BC857B 丝印 3F 参数50v 100mA PNP 型号BC858A 丝印 3J 参数30V 0.1A PNP 型号BC858B 丝印 3K 参数30V 0.1A PNP 型号BC858C 丝印 3L 参数30V 0.1A PNP 型号2SA733 丝印 CS 参数60V 150 mA PNP 型号2SC3356 丝印 R23 参数20V 100 mA NPN 型号2SC3838 丝印 AD 参数20V50 mA NPN 型号9013 丝印 J3 参数30V 0.5A NPN 型号9018 丝印 J8 参数30V 50 mA NPN 型号2SA812-T1B 丝印 M6 参数50V 0.1A PNP 开关二极管 (三只脚) 型号BAS16 丝印A6和A6s 型号BAT54 丝印KL1 参数内含一只0.2A/30V肖特基 型号BAT54A 丝印KL2 (内含两只二极管供阳极) 型号BAT54C 丝印KL3 (内含两只二极管供阴极) 型号BAT54S 丝印KL4 /L44/WV4 (内含两只肖特基二极管串联组成) 型号BAV99 丝印A7W 100V150mA (内含两只快速开关二极管串联组成) 型号BAV70W 丝印A4或A4T/A4W 75V100mA(内含双高速开关二极管供阴极) 可代换BAW62/BA200/BTA13/BAY95 型号KIA2431 丝印24B 型号KIA431 丝印431 型号LM317 丝印66RB
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