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显示器改包技术(续)

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发表于 2007-8-10 09:12:58 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式 来自: 辽宁葫芦岛 来自 辽宁葫芦岛

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显示器改包技术(续)
   转帖 四、如何判断高压包是否损坏。    根据高压包病灶的6个类型,损坏后的症状略有不同。1、包内高压电容击穿。这是造成高压包损坏的最大成因,大约有四成的高压包损坏与它有关。包内高压电容的容量约为2700P,比显象管锥体所形成的电容1600P高一些,两个电容并联在一起总容量就有4300P以上,可以帮助减少屏幕的呼吸效应。由于包内高压电容的绝缘介质的绝缘强度远及不上显象管的玻璃,而且电极间距小,当高压过高或工作时间过长就很容易发生击穿。注意高压电容击穿后HV端对地阻值不一定为零,而是通常出现数千欧到数百千欧的阻值。这是因为电容内的绝缘介质被高压击穿碳化后仍有一定阻值,将万用表设10K档,测高压帽对地或对HVC端的阻值,正常时为无穷大,如出现阻值,可判断包内高压电容击穿。高压电容击穿后使HV输出短路,开机则行电流巨大,通常会锁机或出现间歇啸叫,并且很容易烧行管。包内高压电容击穿后,在通电瞬间绕组电流剧增,ABL端子所外接的电阻通常会过流烧焦,这是一个判断其损坏的明显表徵。2、包内高压绕组匝间短路。这也是经常导致高压包损坏的原因,由于包内次级短路,造成行电流大增,轻则锁机保护,重则烧行管。由于高压绕组匝间短路后功率消耗都在其内部发生,因此包体发热严重,很容易判断。如果被保护快速锁机,就用低行压供电使其继续工作,诱使故障病灶出现,而且行电流不至于巨大,行管还是安全的。3、包内高压硅堆击穿或漏电。高压硅堆击穿或漏电后,不经整流的交流高压加在滤波电容上,但电容不能隔离交流电压,其结果相当于短路,与高压电容击穿所造成的表象很接近,相比之下症状要轻一些,所以通常高压硅堆损坏后,ABL电阻并不一定烧毁,但行电流一样巨大。怎样检测高压硅堆是否击穿或漏电呢?只能使用兆欧表或带有100K量程的万用表,将黑笔接地或ABL端(如果高压包已拆离电路,就只能黑笔接ABL端),红笔接高压帽,正常时会有10兆欧左右阻值,(高压硅堆导通的内阻),将表笔对调,测量时表针会划动一下就归零,(包内高压电容充放电),如果测得阻值较低(小于5兆欧),就基本可以确定包内高压硅堆漏电或击穿了。4、包内初次级绕组短路。这种症状就不需要多说了,B+被直接短路到地了,结果与行管击穿一样。5、包内聚焦组件老化。这种故障也很直观,就是聚焦电压或加速电压不稳,随着开机时间延长,图像聚焦越来越差。在排除了管座、G2滤波电容及机内潮湿漏电后,故障仍然存在,就可以肯定聚焦组件损坏了。6、包体绝缘下降。这种情况在潮湿天气或老机中经常发生,表现为包体对外放电,轻则产生小电弧有嘶嘶声,重则电弧大并有啪啪声;如果包体对内打火,就只听到啪啪声而没有电弧产生。因为高压放电,HV电压瞬音下降,势必造成图像大小变动,甚至锁机或烧行管等。

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发表于 2007-8-10 09:13:16 | 只看该作者 来自: 辽宁葫芦岛 来自 辽宁葫芦岛
五、高压损坏后的补救工作。    高压包的有些损坏情形是可以补救的,在这里简单说一下。    第5类损坏情形,聚焦组件老化。现在大家可以买到一种单焦或双焦的外接聚焦器,其中双焦的还带DF动聚输入。它的原理与包内聚焦组件一样。注意将聚焦组件取代后,原来的线头要做好绝缘处理,用热熔胶封口即可。    第1类损坏情形,高压电容击穿。记得四五年前,显示器高压包奇缺,而且当时大部分高压包的HVC端都是接地的,这就给高压包修补带来很大的空间,我当时潜心钻研此技术,终于获得成功,仅02年一年,就修补了200多只高压包,只要HVC端是接地的,修补成功率就是百分百。不过返修率也颇高,半年内达百分之四十,为什么会这样呢?下面再说。在测得高压帽对地电阻很低,并且HVC端接地后,就可大胆将高压包挖补修复。方法很简单,就是将损坏的高压电容去掉。用电钻对着HVC端钻孔,钻头大小随意,一般我用6到8MM,顺着HVC端子引线(有时HVC引线会横着走到其它地方,不理它跟着找到尽头)打孔深度不能超过1CM,否则打穿了高压电容内层,在填充绝缘物时就会不断冒出气泡,造成修补失败。打孔的目的是将HVC端与外界隔离,使高压封在包体内。打好孔后就是最后也是最重要的一环——填充绝缘物。我用的是环氧树脂,与高压包内所用的物料一样,当然级别就差多了。将高压包倒着垂直放置,使引脚水平,倒入调配好的环氧树脂,份量最好是将引脚3MM以下全部封住(目的是使HVC端距离外界更远一些),一天后可完全硬化,两天达到最大强度,就可以上机使用了。造成修补后返修率高的并不是修补方法本身,而是我使用的填充物——环氧树脂。现在市面上买不到与高压包内所用的同级的环氧树脂,这些高级别树脂可抵受10万伏高压,我能买到E-44级的树脂,绝缘强度勉强够,但如果调配比例稍有误差,强度就会下降,被高压击穿就在所难免了。大家如果能找到更好的绝缘物料,修补方法根本是万试万灵。现在高压包来货越来越多,而且价格很便宜,如果能买到包,修补就不要考虑了。也许大家会问,如果HVC端不接地,可否修补呢?其实是可以的,问题是如果HVC端是信号取样,去掉后必须要另找替代取样,或增加高压电容获取HVC端子,或在高压包磁芯上绕线匹配后取得信号,其麻烦程度还不如改一只包算了。六、改高压包的准备工具。1、电容电感表。最要紧的是电感表,可以测量原包与改包的绕组电感量,如果两者所有绕组电感量相差在10%以内,则成功率非常高。2、万用表。(这是句废话了,拿烙铁的哪个没有表啊?),我想说的是,最好配备有100K电阻量程的表。3、50V/2A的外部直流电源。之所以用50V的电压,是因为该电压值较安全之余,还能产生勉强够的高压,让屏幕有显示,如果还有其它的故障隐患,便可在故障扩大之前看到并加以解决。七、改高压包前的资料搜集。1、高压包的引脚功能定义。   高压包一般是10个常规引脚,外加聚焦组件的2到5个引脚。将高压包引脚面向自己,U型口朝下,顺时针数分别是1到10脚。一般高压包引脚定义如下:B+/+B——高压包初级线圈的输入端,接二次电源的输出。+B2——高压初级线圈的输入端抽头,没有二次电源的机型就在高压包内设多个抽头,以保持不同行频下的高压稳定。一般用于较旧款的显示器,如ACER-34T。+B3——高压初级线圈的输入端抽头,没有二次电源的机型就在高压包内设多个抽头,以保持不同行频下的高压稳定。一般用于较旧款的显示器,如ACER-34T。VCP——高压包初级线圈的输出端,接行管。D/C——接阻尼管和逆程电容。大家不要被这个引脚吓倒,其实只是高压包初级线圈的抽头,通常距离VCP端只有2到3匝,用来改善阻尼线性,GND——接地。NC——空脚。(内部空脚或外部不用此引脚)G1——负压100到200V输出。在包内绕组约10匝。AFC——行逆程脉冲输出。在包内绕组通常是2匝,电压峰值约35V。FB——二次电源取样输出。在包内绕组通常是3匝,电压峰值约50V。+5V——行中心调整电压。在包内绕组2匝,冷端接B+。-5V——行中心调整电压。在包内绕组2匝,冷端接B+。ABL——内接高压线圈的冷端。300V——动聚电路的供电。电压值是200到600V。有时在包内绕组输出,有时在行管C极整流获得。DF——动态聚焦电压输入端。SFR——包内聚焦组件中的FV/SV调整电位器冷端,通常是接地的,但有些机型将其用作信号取样。HVR——包内HV端取样电阻的冷端。此电阻直接取样于HV端。HVC——包内高压滤波电容的冷端。通常此脚都被接地,但有些机型将其用作信号取样。FVR——包内聚焦极取样电阻的冷端。高档机所独有,用来检测FV电压。2、提取原机高压包的资料。对照包体引脚和电路板或电路图分析原包数据,如果电路基础较差不能作出分析,就绝对不要改包了。1)、确定原机高压电路是否高压独立。这很重要,因为高压独立的高压包初级绕组匝数较少,并且侧引脚通常不接地,而用作取样信号。如果换上不是高压独立的包,肯定不成功。反之,用高压独立的包换入非高压独立的电路,开机肯定会因初级绕组匝数少而高压过高,产生打火并可能扩大故障。高压独立的高压包将在后面另行分析。2)、用万用表测量并记录原高压包的通脚。3)、对照电路板记录原高压包的脚位功能。如果电路板上没有标记,就要进行分析,方法如下:    接行管的就是VCP脚,通常高压包的第1脚就是VCP,但有些机型如飞利浦,VCP可能在第9或10脚,分析时只要认准行管C极所接的脚就行。    接阻尼管或逆程电容的就是D/C脚,大部分电路的阻尼管和逆程电容都与行管C极接到一起,如果待修机的阻尼逆程与行管分开又怎么办呢?其实D/C脚对电路的影响微乎其微,改包时如果新包没有D/C脚,可将阻尼逆程与行管并接,不会有任何问题。        接二次电源输出的就是B+脚,注意行中心校正电路需要以B+为中点,有些电路就会有两路B+输入,分析只需将高压包拆离电路,认准与VCP端相通的引脚即可。    通过二极管整流,包括正负整流,而其滤波电容与B+相接的,就是+5或-5V引脚,由于这一电路只用于行中心的调整,使光栅(注意:并非是图像)于屏幕正中显示,所以完全可以忽略该引脚,新包如有此脚的,接上无防,如没有,就将其电路悬空。实际上很多机型都取消了行中心调整电路了,图像的左右偏移靠控制行场扫描芯片的行相位就有很大的范围。    接地的当然是GND。    没有外接电路的就是NC脚,NC脚可能是内部无通路,也可能是外部没用上该引脚;另外有一种NC方式是它在包内有绕组,但在电路上只有少许零件,如小容量电容和较大电阻接地,跟着接一根线引到显象管周围,之后又再无去向,这样的电路作用是检测高压泄漏,但我想X射线保护电路本身在工作就行了,再附加这样的线路没什么用,并且改包肯定会变动原电路的啦,所以我也称这种脚为NC脚,改包时碰到这种电路,就将它悬空。    通过二极管作负整流并且其滤波电容正极接地的就是G1脚,G1脚比较容易辩认,其滤波电容容易干涸漏液,大家都换过不少了。有时候G1脚在整流前会外接高压泄漏检测线,经常圈在高压帽周围,与高压很接近。我有点不明白这种设计有什么好处,当天气潮湿高压帽出现打火时,G1脚首先就串入了高压,其结果是整流管击穿,甚至滤波电容爆炸,由于G1负压消失,光栅就会高亮,并且关机有高亮点,用户不明白这种故障的遗害,蒙懂间开关多几次机,显象管正中央就烧伤出黑点了。厂家这样设计是保护显象管,还是在制造机会损坏它?见人见智了。     与包内任何引脚不相通并且外接一只0.1U到1U电容到地的就是ABL脚,ABL脚是改包时唯一不用头疼的引脚,所有高压包的ABL脚都一样,绝对不用担心改后与电路不匹配。    通过二极管作正整流并且其滤波电容耐压很高的就是DF供电脚,DF供电脚电压多数是250V到350V,实际上该电压允许有较大的偏移,可以相差30%而对动聚没任何影响。DF供电脚由于电压较高,其绕组多数会与B+相串联,这样就可以减少线圈匝数,当然也有的多绕些线,冷端直接到地。    高压包侧引脚的最上面的通常是SFR脚,绝大多数电路会将它接地。    高压包侧引脚的最下面的通常是HVC脚。    如果原高压包只有3只侧引脚,则中间一只肯定是DF脚;如果原包有4只侧引脚,就要分析电路找出DF脚。动聚电路的原理是在行偏转支路中串入变压器,耦合行脉冲到聚焦极中,所以找到与动聚变压器相接的脚就是DF脚,并且它的电压较高,通常会有1KV的滤波电容。    如果原高压包有4只侧引脚,在排除出SFR、HVC和DF脚外,剩下的就是HVR脚了。HVR脚总是与HVC脚组合来取样,HVR取样直流,HVC取样交流,两者或直接并联,或通过阻容元件并联。当然如果原机这些脚都接地,就不用去考虑它了。    AFC脚和FB脚较难分辨,在电路中两者外接零件也很相似,通常是在整流前用阻容网络匹配后作为AFC信号,而整流后则作为二次电源取样电压或X射线保护取样电压,正因为是二次电源的取样,所以必须慎重分析。如果原机只有一支AFC电路,则不需要多费心,如果找到两路相类似的,就可以这样分析,通往CPU、OSD和行场扫描芯片的逆程脉冲肯定是AFC,整流后输入二次电源芯片(可能也是行场扫描芯片)的就是FB。4)、用电感表测量原高压包的通脚电感量,原则是一定要确定测量点,比如测量初级线圈,就一定要以VCP点为固定一端,再测其与B+或其它脚的电感量;而测量次级线圈,就一定要以GND点为固定一端,再测其与其它引脚的电感量。次级线圈由于有几个绕组,如果确定不了GND端,则其它引脚互测的电感量会被抵消或叠加。有时次级的几个绕组并不一定只有一个GND端,但其在电路上仍会被接地,需要看电路上的走向确定GND端。5)、原机高压包只有在初次级线圈短路的情况下,才能影响到其通脚电感量,其它如高压电容击穿、硅堆击穿、高压线包短路、打火等都不会影响其原来的电感量。3、将原机高压包资料包括通脚和引脚功能与新包对比,选择相似度较高的作下一步分析。1)、新包也就是待改包的资料需要平时用心搜集,特别是引脚功能的搜集,因为通脚的相同基本上决定不了什么,而引脚功能的相同就可以很大程度提高改包成功率。如果通脚与引脚功能完全相同,再测一个电感量,那么这个包改进去能正常工作的机会就非常大。这是我平常改包的的首选方案。实在找不出通脚与引脚功能完全一样的包时,才考虑改线或另加绕线方案。我在后面部分会把自己平常搜集的高压包引脚功能,及高压包的直接代换型号上传,这也许正是各位所最希望看到的了,当然了,那只是代用,不用改,放上去就行。2)、如果没有新包的引脚功能资料,也可以分析得出,这就需要优先选用一些初次级线圈较简单的包来改。比如初级线圈只有B+和VCP两个通脚,如1-2,那么第1脚肯定是VCP端。次级线圈只有AFC、G1和GND三个通脚,如3-4-5或6-8-9等,那么要用到电感表来分辨,下面将有详述。这种包我本人称之为通用型高压包,在其基础上,很容易加绕出其它功能引脚来。3)、线圈匝数与电感量的关系。以在磁芯上绕一圈为例,所得到的电感量约为0.003ml,两匝就是0.006ml了,而AFC绕组通常只能两匝,也就是说AFC电感量为0.006ml,所得到的峰值电压约36V。如此类推,G1电压约-200V,所需绕线约10匝,电感量约0.04ml;FB绕组通常绕3匝,电感量约0.009ml。以上数据会因磁芯磁通量大小而有误差,具体操作可在该磁芯上绕一圈线测其一匝电感量,得到基本数据后就可能推断包上其它引脚的功能了。4)、将所有信息汇总到草图上,分析得到两只包的数据如果相距不大,就可以上机试验改用效果了。

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