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MOS驱动原理

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1#
发表于 2017-8-12 10:21:48 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式 来自: 湖南长沙 来自 湖南长沙

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,MOS管驱动 跟双极性晶体管相比,一般认为使MOS管导通不需要电流,只要GS电压高于一定的值,就可以了。这个很容易做到,但是,我们还需要速度。
在MOS管的结构中可以看到,在GS,GD之间存在寄生电容,而MOS管的驱动,实际上就是对电容的充放电。对电容的充电需要一个电流,因为对电容充电瞬间可以把电容看成短路,所以瞬间电流会比较大。选择/设计MOS管驱动时第一要注意的是可提供瞬间短路电流的大小。
第二注意的是,普遍用于高端驱动的NMOS,导通时需要是栅极电压大于源极电压。而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压(VCC)相同,所以这时栅极电压要比VCC大4V或10V。如果在同一个系统里,要得到比VCC大的电压,就要专门的升压电路了。很多马达驱动器都集成了电荷泵,要注意的是应该选择合适的外接电容,以得到足够的短路电流去驱动MOS管。
上边说的4V或10V是常用的MOS管的导通电压,设计时当然需要有一定的余量。而且电压越高,导通速度越快,导通电阻也越小。现在也有导通电压更小的MOS管用在不同的领域里,但在12V汽车电子系统里,一般4V导通就够用了

2#
发表于 2017-8-26 10:57:28 | 只看该作者 来自: 黑龙江鸡西 来自 黑龙江鸡西
新手路过学习了!论坛里的高人真多啊!

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3#
发表于 2017-8-26 15:03:28 | 只看该作者 来自: 江苏徐州 来自 江苏徐州
懂了 、、、、、、、、、、、、、、、、、

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