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首先分两个部分的讲解，1。按POWER-BUTTON之前产生的电压， A.先看看有的信号和电压：A/D DOCK IN. BAT-CON TS1#，SMBO-DAT,SMBO-CLK CHG-PDS,CHG-PDL AC-BAT-SYS +5VAO BAT-S +3VAO +5VA,+3VA +3VA-EC,+3PLL,+3VACC EC-RST 32.768KHZ VSUS-ON ENBL +12VSUS +3VSUS,+5VSUS, SUS-PWRGD PM-RSMRST RTC-BAT, RTC-VCC,32.768KHZ,RTC-RST
下面我们就来分析待机前的上电动作： 当电源插入时通过ADAPTER,产生A/D DOCK-IN 19V电压，则电池通过接口产生BAT-CON,那么电池插入时，拉低TS1#为低电平，TSI#主要是侦察电池是不是插进来了，SMBO-DAT,CLK这个两个信号主要是侦察电池电量。 A/D DLCK IN去往两个地方，一是去往隔离电路，另一路则去往MAX8725，使其输出CHG-PDL,PDS,开启A/D DOLK-IN,BAT-CON，转成AC-BAT-SYS,PDS到PQ8801，PQ8811G极控制使其顺利导通产生AC-BAT-SYS，PDL则到PQ8800G极导通BAT-S（BATS是BAT-CON经过L8803），转成的AC-BAT-SYS。
那么AC-BAT-SYS到TPS51120,接到主供电，就直接产生+5VAO，+5VAO经过U8102产生+3VAO，这是一个线性稳压芯片，
5VAO从PIN1 IN，在PIN3做一个SHND#,3PIN OUT+3VAO，这里需要注意的是反馈电路：FB=100K除（100K+174K)X3V=1.09V。 +5VAO,+3VAO经过隔离测试点产生+5VA,+3VA。而+3VA过L3000,产生+3VA-EC,过R3002，过R3000产生+3VACC,+3VPLL。同时给EC做主供电。+3VA-EC输入芯片U3001产生EC-RST#,当EC接收到工作从P160出EC-XOUT给晶振提供电压使其产生32.768KHZ，EC满足以上条件后，再与BIOS进行AD交换便产生了VSUS-ON，导通Q8105使Q8105B关闭，过电阻R8106产生了ENBL信号。做后级TPS51120使能信号。
在这个之前EN先送去U8100线性稳压芯片做使能信号产生12SUS。
OK，下一步，到TPS51120做使能信号。就这样子产生了最终的+3VSUS,+5VSUS,芯片输出OK后，输出SUS-PWRGD，我们看下2.5VREF的情况，它是+5VO经过R9000和稳压二极管 U9000产生的REF，利用二极管的反向击穿性，在端处会产生一个稳压的电压（+2。5VREF），稳压二极管电流越大则稳压效果越好，但电流过大超出额定功率则会使二极管损坏，所以串联一个电阻R9000
当EC接收到SUS-PG后发出PM-RSMRST.
下面看下RCT电路。+RTCBAT经过R2000经过D2000产生VCC-RTC,，D2000作用就相当于一个比较器，当电源工作时则+VCC-RTC由+3VA来提供，没有则由COMS提供。+VCC-RTC经过三个电阻输入给南桥。则输出RTC-XI,RTC-X2给晶振X2000产生32.76KHZ，下面到开启部分。。。。。。。。。。。
从待机上部分我们不难看出，待机EC最终得到的条件完成VSUS-ON的输出，那么我们小结下EC在待机时候的工作条件最终产生VSUS-ON： A.主供电：+3VA-EC,+3PLL,+3VACC B。复位： EC-RST C. 晶振提供的振荡：32.768KHZ 这样就产生：VSUS-ON。 那么待机部分EC得到的条件一共有， D.加SUS-PWRGD和本身输出PM-RSMRST.再加上RCT部分的RTC-VCC,RTC-RST。这样一切条件具备。只欠东风。 按下PWR-SW#瞬间拉低（来源：+3VA-EC经过电阻到PWR-SW#,给PWR-SW#一个高电平），则EC发出PM-PWRBTN#,这个为南桥最后一个开机的条件，OK，我们再来看南桥目前有个工作条件，而这些工作条件为南桥开启第一部分功能： +3VSUS PM-RSMRST# +VCC-RTC CLK(32.768KHZ) PM-PWRBIN# 南桥满足以上5个条件开始开启第一部分功能：发出PM-SUSB,PMSUSC.注意：PM-SUSC#比PM-SUSB#先出来。它们分别过R3023,R3024转成S4,S3.输入EC继续转成SUSC-EC#,SUSB-EC#,它们两再分别经过R9105,R9104转成SUSB#-PWR,SUSC#-PWR。做后级的电压开启和ENBL信号。SUSC#-PWR做Q9107,控制导通使+12SUS转成+12V,+12V又做Q9101,Q9103控制G极，+5VO,+3VO导通转成+3V+5V.这里使用这些N-,MOS意思就是保护后级电路和提供高电流给后级使用。因为之前的电流过小带动不了后级电路工作。
SUSB#-PWR就到Q9105G极控制另一路+12VSUS导通转成+12VS，+12VS同时也到Q9106.9108使另一路+5VO.+3VO导通转成+5VS.+3VS。
SUSC#-PWR另外在U1230做ENBL信号产生1.8VO过隔离测试点转成+1.8V，+0.9VO过隔离测试点转成+0.9V，结束后输出DDR-PWR-GD, SUSB#-PWR就到U1200做ENBL，出1.5VS.105VO.最后输出1.05-1.5V-PWRGD。同时SUSB#-PWR通过D8400,经过Q8406A,8406B.到LM358A的PIN3，（注意：当PIN2反馈电压大于PIN3时，PIN1输出高电平，利用反馈电压来控制N-MOS的开启和关闭）出2.5,+1.25VS。1.25V的出来在于（PIN3电压=100K除以（100K+200k）*+2.5V=1.25V)
到这里出来的电压基本出来了，PG信号开始汇总了。DDR-PWRGD,SUS-PWRGD,1.05-1.5VPWRGD,VGA-PWRGD
汇总成ALL-SYSTEM-PWRGD，SUS-PWRGD是过一个二极管，这个作用：保护SUS-PWRGD,当其他PWRGD有问题的时候不会拉低SUS-PWRGD，因为只有SUS-PWRGD工作正常后南桥才能正常工作，来开启其他的电压。同时SUSB-EC1#是通过R9206.这个PWR-OK-VGA是显卡发出的。这里做为一个保护电路，PG信号全部为高电平，才会有ALL-SYSTEM-PWR.最后发送给EC.当EC接收到总PG后，同时接收到+3VS.便产生了CPU-VRON给CPU电源IC产生CPU电压。同时需要注意的是CPU电源IC的反馈电路，使用的是4组H-L side,因为CPU工作功率比较的大，根据P=UI，这里就是为了产生高电流35A。
这里的VRF=2 REF=300KHZ， CPU-PSI#:为高电平时：SKIP# =5V CPU-PSI#:为低电平时：SKIP# =1.74V
U9200是与门：意思就是只要输入LOW就输出LOW，那么PG有问题输入LOW时候，FORCE-OFF#拉低，则会关机。而FORCE-OFF#为强拉关闭信号。电压全部结束。。。。。。。。。。。。。
下面在做一些附上一些解释： 电源IC输出电压上下管的控制作用： 当电源IC输出电压通过上下管时，芯片先给上管的G极一个高电平，使其打开电压下来 同时给下管G极一个低电平使其关闭。产生电压电感给电容充电，当电压过高时，则上下管相反工作使其电压拉低，维持一个稳定的电压输出。这样子上下管充分说明提高电流，稳定电压的特点。在比如CPU电源IC有的是用了几组上管和下管的并联，这样子就把电流提高了N多倍。35A左右
休眠的方式： S3休眠动作是利用键盘的FN+F1到EC，透过LPC-AD发送到南桥，南桥奖SUSB#拉低，SUSB#所控制的电源全部拉低，开始进行休眠。 S4。在WINDOWS状态下开始选择休眠。HDD通过传送信号到南桥，南桥再把SUSB#和SUSC#控制的电压全部拉低。开始进行休眠。
待机部分RTC电路有一个比较器，那么比较器工作原理就是: 1:当正极大于负极时,输出电压VCC OUT就等于输入电压VCC IN 2当正极小于负极电压时,输出电压VCC OUT就等于接地GND + > - VCC OUT=VCC IN + < - VCC OUT=GND 比较器一般用于电路中都是固定正极(或负极)电压电压,利用VCC OUT 来控制负极(或正极)电压
CPU电源IC的一些信号解释： CPU_VRON=1 :EC发出给VCORE IC的Enable信号 PM_DPRSLPVR=1:CPU深度休眠模式的Enable信号 H_DPRSTP#=0:CPU正在深度休眠模式 VRM_PWRGD=1:VCORE POWER OK. PM_PSI#=0:CPU降频时通知VCORE调低电压 PM_DPRSLPVR,H_DPRSTP#,CPU与南桥进入降频模式时通知VCORE调低电压分别进入S3和S4模式. CLK_EN#在此板上没用上,而是使用EC发出.同时CPU通过VD6-VD0 ，7组数据线是可以改变VCORE电压大小的： | 
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狗仔卡
发表于 2016-12-24 09:45:16
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