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关于MOS管的最深入分析(借鉴于华强电子网,收藏已三年)

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1#
发表于 2016-10-16 21:13:53 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式 来自: 甘肃 来自 甘肃

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以下是本人刚入行的时候在华强电子网看到的mos驱动技术和原理,

之前是小白看不懂,现在基本已经理解,我觉得对于学习mos有很大用处,

建议大家细细查看,看不懂留着以后总会有用。

有助于大家了解

了解mos击穿原理

了解mos驱动原理

了解主板pwm设计原理


首先,来做一个实验,把一个MOSFET的G悬空,然后在DS上加电压,那么会出现什么情况呢?很多工程师都知道,MOS会导通甚至击穿。这是为什么呢?因为我根本没有加驱动电压,MOS怎么会导通?用下面的图,来做个仿真:

  


                               
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  去探测G极的电压,发现电压波形如下:

  


                               
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  G极的电压居然有4V多,难怪MOSFET会导通,这是因为MOSFET的寄生参数在捣鬼。

  这种情况有什么危害呢?实际情况下,MOS肯定有驱动电路的么,要么导通,要么关掉。问题就出在开机,或者关机的时候,最主要是开机的时候,此时你的驱动电路还没上电。但是输入上电了,由于驱动电路没有工作,G级的电荷无法被释放,就容易导致MOS导通击穿。那么怎么解决呢?

  在GS之间并一个电阻.


                               
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  那么仿真的结果呢:

        几乎为0V.

  


                               
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  什么叫驱动能力,很多PWM芯片,或者专门的驱动芯片都会说驱动能力,比如384X的驱动能力为1A,其含义是什么呢?

  MOSFET作为功率开关管,已经是是开关电源领域的绝对主力器件。虽然MOSFET作为电压型驱动器件,其驱动表面上看来是非常简单,但是详细分析起来并不简单。下面我会花一点时间,一点点来解析MOSFET的驱动技术,以及在不同的应用,应该采用什么样的驱动电路。

  首先,来做一个实验,把一个MOSFET的G悬空,然后在DS上加电压,那么会出现什么情况呢?很多工程师都知道,MOS会导通甚至击穿。这是为什么呢?因为我根本没有加驱动电压,MOS怎么会导通?用下面的图,来做个仿真:

  


                               
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  去探测G极的电压,发现电压波形如下:

  


                               
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  G极的电压居然有4V多,难怪MOSFET会导通,这是因为MOSFET的寄生参数在捣鬼。

  这种情况有什么危害呢?实际情况下,MOS肯定有驱动电路的么,要么导通,要么关掉。问题就出在开机,或者关机的时候,最主要是开机的时候,此时你的驱动电路还没上电。但是输入上电了,由于驱动电路没有工作,G级的电荷无法被释放,就容易导致MOS导通击穿。那么怎么解决呢?

  在GS之间并一个电阻.


                               
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  那么仿真的结果呢:

        几乎为0V.

  


                               
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  什么叫驱动能力,很多PWM芯片,或者专门的驱动芯片都会说驱动能力,比如384X的驱动能力为1A,其含义是什么呢?

  假如驱动是个理想脉冲源,那么其驱动能力就是无穷大,想提供多大电流就给多大。但实际中,驱动是有内阻的,假设其内阻为10欧姆,在10V电压下,最多能提供的峰值电流就是1A,通常也认为其驱动能力为1A。

  那什么叫驱动电阻呢,通常驱动器和MOS的G极之间,会串一个电阻,就如下图的R3。

  


                               
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  驱动电阻的作用,如果你的驱动走线很长,驱动电阻可以对走线电感和MOS结电容引起的震荡起阻尼作用。但是通常,现在的PCB走线都很紧凑,走线电感非常小。

  第二个,重要作用就是调解驱动器的驱动能力,调节开关速度。当然只能降低驱动能力,而不能提高。

  对上图进行仿真,R3分别取1欧姆,和100欧姆。下图是MOS的G极的电压波形上升沿。

  


                               
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  红色波形为R3=1欧姆,绿色为R3=100欧姆。可以看到,当R3比较大时,驱动就有点力不从心了,特别在处理米勒效应的时候,驱动电压上升很缓慢。

  下图,是驱动的下降沿

  


                               
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  同样标称7A的mos,不同的厂家,不同的器件,参数是不一样的。所以没有什么公式可以去计算。

  那么驱动的快慢对MOS的开关有什么影响呢?下图是MOS导通时候DS的电压:

  


                               
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  红色的是R3=1欧姆,绿色的是R3=100欧姆。可见R3越大,MOS的导通速度越慢。

  下图是电流波形

  


                               
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  红色的是R3=1欧姆,绿色的是R3=100欧姆。可见R3越大,MOS的导通速度越慢。

  可以看到,驱动电阻增加可以降低MOS开关的时候得电压电流的变化率。比较慢的开关速度,对EMI有好处。下图是对两个不同驱动情况下,MOS的DS电压波形做付利叶分析得到

  


                               
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  红色的是R3=1欧姆,绿色的是R3=100欧姆。可见,驱动电阻大的时候,高频谐波明显变小。

  但是驱动速度慢,又有什么坏处呢?那就是开关损耗大了,下图是不同驱动电阻下,导通损耗的功率曲线。

  


                               
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  红色的是R3=1欧姆,绿色的是R3=100欧姆。可见,驱动电阻大的时候,损耗明显大了。

  结论:驱动电阻到底选多大?还真难讲,小了,EMI不好,大了,效率不好。

  所以只能一个折中的选择了。

  那如果,开通和关断的速度要分别调节,怎么办?就用以下电路。

  


                               
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  MOSFET的自举驱动。

  对于NMOS来说,必须是G极的电压高于S极一定电压才能导通。那么对于对S极和控制IC的地等电位的MOS来说,驱动根本没有问题,如上图。

  但是对于一些拓扑,比如BUCK(开关管放在上端),双管正激,双管反激,半桥,全桥这些拓扑的上管,就没办法直接用芯片去驱动,那么可以采用自举驱动电路。

  看下图的BUCK电路:

  


                               
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  加入输入12V,MOS的导通阀值为3V,那么对于Q1来说,当Q1导通之后,如果要维持导通状态,Q1的G级必须保证15V以上的电压,因为S级已经有12V了。

  那么输入才12V,怎么得到15V的电压呢?

  其实上管Q1驱动的供电在于 Cboot。

  看下图,芯片的内部结构:

  


                               
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  Cboot是挂在boot和LX之间的,而LX却是下管的D级,当下管导通的时候,LX接地,芯片的内部基准通过Dboot(自举二极管)对Cboot充电。当下管关,上管通的时候,LX点的电压上升,Cboot上的电压自然就被举了起来。这样驱动电压才能高过输入电压。

  当然芯片内部的逻辑信号在提供给驱动的时候,还需要Level shift电路,把信号的电平电压也提上去。

  Buck电路,现在有太多的控制芯片集成了自举驱动,让整个设计变得很简单。但是对于,双管的,桥式的拓扑,多数芯片没有集成驱动。那样就可以外加自举驱动芯片,48V系统输入的,可以采用Intersil公司的ISL21XX,HIP21XX系列。如果是AC/DC中,电压比较高的,可以采用IR的IR21XX系列。

  下图是ISL21XX的内部框图。

  


                               
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  其核心的东西,就是红圈里的boot二极管,和Level shift电路。

  ISL21XX驱动桥式电路示意图:

  


                               
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  驱动双管电路:

  


                               
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  驱动有源钳位示意图:

  


                               
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  当然以上都是示意图,没有完整的外围电路,但是外围其实很简单,参考datasheet即可。

  ISL21XX驱动桥式电路示意图:

  


                               
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  驱动双管电路:

  


                               
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  驱动有源钳位示意图:

  


                               
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  当然以上都是示意图,没有完整的外围电路,但是外围其实很简单,参考datasheet即可。

  自举电容主要在于其大小,该电容在充电之后,就要对MOS的结电容充电,如果驱动电路上有其他功耗器件,也是该电容供电的。所以要求该电容足够大,在提供电荷之后,电容上的电压下跌最好不要超过原先值的10%,这样才能保证驱动电压。但是也不用太大,太大的电容会导致二极管在充电的时候,冲击电流过大。

  对于二极管,由于平均电流不会太大,只要保证是快速二极管。当然,当自举电压比较低的时候,这个二极管的正向压降,尽量选小的。

  电容没什么,磁片电容,几百n就可以了。但是二极管,要超快的,而且耐压要够。电流不用太大,1A足够。

  隔离驱动。当控制和MOS处于电气隔离状态下,自举驱动就无法胜任了,那么就需要隔离驱动了。下面来讨论隔离驱动中最常用的,变压器隔离驱动。

  看个最简单的隔离驱动电路,被驱动的对象是Q1。

  


                               
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  其实MOS只是作为开关管,需要注意的是电机是感性器件,还有电机启动时候的冲击电流。还有堵转时候的的启动电流。

  驱动源参数为12V ,100KHz, D=0.5。

  驱动变压器电感量为200uH,匝比为1:1。

  


                               
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  红色波形为驱动源V1的输出,绿色为Q1的G级波形。可以看到,Q1-G的波形为具有正负电压的方波,幅值6V了。

  为什么驱动电压会下降呢,是因为V1的电压直流分量,完全被C1阻挡了。所以C1也称为隔直电容。

  下图为C1上的电压。

  


                               
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  其平均电压为6V,但是峰峰值,却有2V,显然C1不够大,导致驱动信号最终不够平。那么把C1变为470n。Q1-G的电压波形就变成如下:

  


                               
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  驱动电压变得平缓了些。如果把驱动变压器的电感量增加到500uH。驱动信号就如下图:

  


                               
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  驱动信号显得更为平缓。

  从这里可以看到,这种驱动,有个明显的特点,就是驱动电平,最终到达MOS的时候,电压幅度减小了,具体减小多少呢,应该是D*V,D为占空比,那么如果D很大的话,驱动电压就会变得很小,如下图,D=0.9

  


                               
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  发现驱动到达MOS的时候,正压不到2V了。显然这种驱动不适合占空比大的情况。

  从上面可以看到,在驱动工作的时候,其实C1上面始终有一个电压存在,电压平均值为V*D,也就是说这个电容存储着一定的能量。那么这个能量的存在,会带来什么问题呢?

  下面模拟驱动突然掉电的情况:

  


                               
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  可见,在驱动突然关掉之后,C1上的能量,会引起驱动变的电感,C1以及mos的结电容之间的谐振。如果这个谐振电压足够高的话,就会触发MOS,对可靠性带来危害。

  那么如何来降低这个震荡呢,在GS上并个电阻,下图是并了1K电阻之后波形:

  


                               
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  但是这个电阻会给驱动带来额外的损耗。

  如何传递大占空比的驱动:

  看一个简单的驱动电路。

  


                               
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  当D=0.9的时候

  


                               
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  红色波形为驱动源输出,绿色为到达MOS的波形。基本保持了驱动源的波形。

  同样,这个电路在驱动掉电的时候,比如关机,也会出现震荡。

  


                               
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  而且似乎这个问题比上面的电路还严重。

  下面尝试降低这个震荡,首先把R5改为1K

  


                               
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  确实有改善,但问题还是严重,继续在C2上并一个1K的电阻。

  


                               
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  绿色的波形,确实更改善了一些,但是问题还是存在。这是个可靠性的隐患。

  对于这个问题如何解决呢?可以采用soft stop的方式来关机。soft stop其实就是soft start的反过程,就是在关机的时候,让驱动占空比从大往小变化,直到关机。很多IC已经集成了该功能。

  


                               
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  可看到,驱动信号在关机的时候,没有了上面的那些震荡。

  对于半桥,全桥的驱动,由于具有两相驱动,而且相位差为180度,那么如何用隔离变压器来驱动呢?

  


                               
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  采用一拖二的方式,可以来驱动两个管子。

  下图,是两个驱动源的波形:

  


                               
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  通过变压器传递之后,到达MOS会变成如下:

  


                               
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  在有源钳位,不对称半桥,以及同步整流等场合,需要一对互补的驱动,那么怎么用一路驱动来产生互补驱动,并且形成死区。可用下图。

  波形如下图:

  


                               
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发表于 2016-11-2 13:30:59 | 只看该作者 来自: 马来西亚 来自 马来西亚
看了你的分析懂了一点点 多谢

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2#
发表于 2016-10-16 21:31:54 | 只看该作者 来自: 广东深圳 来自 广东深圳
没什么意思,感觉  知道G是高电平 就N管  G是低电平就P管就OK啦!

点评

错了,是G大于S或小于S 5V  详情 回复 发表于 2016-10-17 19:47
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3#
发表于 2016-10-16 21:41:19 | 只看该作者 来自: 辽宁丹东 来自 辽宁丹东
我等只要知道G极不可悬空时通电即可!

点评

那说明你修的pwm故障不是很多呢  详情 回复 发表于 2016-10-17 19:48
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4#
发表于 2016-10-16 21:55:28 | 只看该作者 来自: 山东 来自 山东
内容倒是很详细,但是维修人员知道这个工作原理就好,没必要去深究这个。

点评

如果想做到信号级维修,深入了解故障产生原因,这个是非常需要的,当然,不想继续深入技术的 就没必要看了  详情 回复 发表于 2016-10-17 19:48
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5#
发表于 2016-10-17 19:47:18 | 只看该作者 来自: 甘肃兰州 来自 甘肃兰州
小小菜鸟, 发表于 2016-10-16 21:31
没什么意思,感觉  知道G是高电平 就N管  G是低电平就P管就OK啦!

错了,是G大于S或小于S 5V

点评

不应该是7v 的吗?  详情 回复 发表于 2016-10-28 17:39
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6#
发表于 2016-10-17 19:48:27 | 只看该作者 来自: 甘肃兰州 来自 甘肃兰州
q450779868 发表于 2016-10-16 21:55
内容倒是很详细,但是维修人员知道这个工作原理就好,没必要去深究这个。

如果想做到信号级维修,深入了解故障产生原因,这个是非常需要的,当然,不想继续深入技术的 就没必要看了

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7#
发表于 2016-10-17 19:48:58 | 只看该作者 来自: 甘肃兰州 来自 甘肃兰州
二年级 发表于 2016-10-16 21:41
我等只要知道G极不可悬空时通电即可!

那说明你修的pwm故障不是很多呢

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8#
发表于 2016-10-28 17:39:44 | 只看该作者 来自: 浙江 来自 浙江
提拉米苏102 发表于 2016-10-17 19:47
错了,是G大于S或小于S 5V

不应该是7v 的吗?

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9#
发表于 2016-11-2 12:50:58 | 只看该作者 来自: 江苏 来自 江苏
我做了实验 为什么没有导通啊 况且主板上上管还要连接下管  感觉更不可能导通
下管接12v倒是直接烧了

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你可以在找个主板 料板待机dia路正常的那种,然后隔断任意上管的G极到芯片的线,然后通电,轻则MOS管击穿,重则焊盘烧炸  详情 回复 发表于 2016-11-3 07:31
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11#
发表于 2016-11-2 13:43:52 | 只看该作者 来自: 广东广州 来自 广东广州
对于喜欢研究的人来说是一片好文章

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12#
发表于 2016-11-2 13:55:45 | 只看该作者 来自: 广东 来自 广东
谢谢分享这么好的资料啊 。   

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13#
发表于 2016-11-2 13:59:26 | 只看该作者 来自: 湖南衡阳 来自 湖南衡阳
好东西受教了。

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14#
发表于 2016-11-2 22:57:09 | 只看该作者 来自: 山东 来自 山东
好贴收藏,知其然知其所以然,是为知

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15#
发表于 2016-11-3 07:31:27 | 只看该作者 来自: 甘肃 来自 甘肃
cwjv 发表于 2016-11-2 12:50
我做了实验 为什么没有导通啊 况且主板上上管还要连接下管  感觉更不可能导通
下管接12v倒是直接烧了

你可以在找个主板 料板待机dia路正常的那种,然后隔断任意上管的G极到芯片的线,然后通电,轻则MOS管击穿,重则焊盘烧炸

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16#
发表于 2016-11-3 07:49:19 | 只看该作者 来自: 辽宁丹东 来自 辽宁丹东
看过后才懂得管子外围阻容件的作用,缺一不可.

点评

只要设计出来了这个元件,那必然就有他的作用,更多是我们不知道 而不是他没用  详情 回复 发表于 2016-11-3 12:34
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17#
发表于 2016-11-3 07:59:13 | 只看该作者 来自: 浙江金华 来自 浙江金华
MOS管对于笔记本来说,PWM电路搞懂就差不多了,有精力还是去研究下信号

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18#
发表于 2016-11-3 12:34:22 | 只看该作者 来自: 甘肃 来自 甘肃
二年级 发表于 2016-11-3 07:49
看过后才懂得管子外围阻容件的作用,缺一不可.

只要设计出来了这个元件,那必然就有他的作用,更多是我们不知道 而不是他没用

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19#
发表于 2016-11-5 09:41:11 | 只看该作者 来自: 江苏淮安 来自 江苏淮安
就这么结束了?还没看过瘾

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