关于内存的英文缩写解释

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ABP: Address Bit Permuting，地址位序列改变
ATC（Access Time from Clock，时钟存取时间）
BSRAM（Burst pipelined synchronous static RAM，突发式管道同步静态存储器）
CAS（Column Address Strobe，列地址控制器）
CCT（Clock Cycle Time，时钟周期）
DB: Deep Buffer（深度缓冲）
DDR SDRAM（Double Date Rate，双数据率SDRAM）
DIL（dual-in-line）
DIMM（Dual In-line Memory Modules，双重内嵌式内存模块）
DRAM（Dynamic Random Access Memory，动态随机存储器）
DRDRAM（Direct RAMbus DRAM，直接RAMbus内存）
ECC（Error Checking and Correction，错误检查修正）
EEPROM（Electrically Erasable Programmable ROM,电擦写可编程只读存储器）
FM: Flash Memory（快闪存储器）
FMD ROM （Fluorescent Material Read Only Memory，荧光质只读存储器）
PIROM：Processor Information ROM，处理器信息ROM
PLEDM: Phase-state Low Electron（hole）-number Drive Memory
QBM（Quad Band Memory，四倍边带内存）
RAC（Rambus Asic Cell，Rambus集成电路单元）
RAS（Row Address Strobe，行地址控制器）
RDRAM（Rambus Direct RAM，直接型RambusRAM）
RIMM（RAMBUS In-line Memory Modules，RAMBUS内嵌式内存模块）
SDR SDRAM（Single Date Rate，单数据率SDRAM）
SGRAM（synchronous graphics RAM，同步图形随机储存器）
SO-DIMM（Small Outline Dual In-line Memory Modules，小型双重内嵌式内存模块）
SPD（Serial Presence Detect，串行存在检查）
SRAM（Static Random Access Memory，静态随机存储器）
SSTL-2（Stub Series Terminated Logic-2）
TSOPs（thin small outline packages，超小型封装）
USWV（Uncacheable, Speculative, Write-Combining非缓冲随机混合写入）
VCMA（Virtual Channel Memory architecture，虚拟通道内存结构）

[ 本帖最后由 张先生 于 2007-4-15 07:17 编辑 ]

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