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标题: 笔记本三代内存（槽）测试点 [打印本页]
作者: xueflyer    时间: 2011-3-28 00:38
标题: 笔记本三代内存（槽）测试点
本帖最后由 xueflyer 于 2011-3-28 00:42 编辑

笔记本三代内存（槽）测试点

A.电压：
(5种)

+1.5V（+1.5V_SUS）
+1.5V
75、76、81、82PIN

+0.75V(0.75V_DDR_VTT)
+0.75V
203、204PIN

+SMDDR_VREF_DQ0
+0.75V
1PIN

+SMDDR_VREF_DIMM0
+0.75V
126PIN

+3.3V (+3.3V_RUN)
+3.3V
199PIN

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B.关键信号：   
200pin：SMBDATA
                +3V
                1.240
202pin：SMBCLK
                +3V
                1.240
30pin：DDR3_DRAMRST#

198pin：PM_EXTTS#0
注：SMBDATA和SMBCLK信号线上的两个开关MOS管较易损坏，引起内存无法识别。   
    现象是：跑代码不过内存，内存排阻上无波形跳变。（自检不过内存）
    以上信号名称在不同图纸中会有不同标示，但电压值都是一样。
    以上是参考DELL的图纸。



作者: xueflyer    时间: 2011-3-28 00:51
编辑的帖子格式变形了，不好看了。
就把word文档传上来，供大家研究学习。

有两个信号的电压值和对地阻抗没有采集到，请有修过的朋友帮助补充一下，谢谢！

笔记本三代内存（槽）测试点.rar (494.71 KB, 下载次数: 394)