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2007年，DRAM产业宣布DDR3时代来临，到了2012年，DRAM才正式进入DDR4，五年的时对于瞬息万变的科技界来说，实在不短。如果算上图纸阶段，更是长达8-9年。不过，随着Intel Skylake的全面推出，DDR4内存终于迎来春天。而就在这个时候，三星已经开始想DDR4继任者的事情了。现在，行业内人士已经开始着手打造新的后DDR4内存标准（暂称为DDR5）了。近日，三星首次透露了一些关于后DDR4内存的初步信息。
首先，在传输速率方面，后DDR4内存每针脚的传输速率将达到6.4Gbps，总带宽将达到51.2GB/s；容量方面的变化将更加显著，单颗内存容量将从4Gb、8Gb增加到32Gb，这对于服务器等设备来说十分重要。在工艺制程方面，后DDR4内存或将采用10nm工艺打造，
现有的DDR4标准已经具备很高的性能，不过也有两个因素制约它继续提高，其一是如果不使用单独的缓存器，每个通道最多只能承载两个内存模块；另外，在现有的标准垂直芯片封装下，最大时钟频率大概只能达到4.26GHz。为了解决这些难题，三星也在考虑采用光学接口、2.5D或是3D封装等新技术。 三星预计后DDR4内存的第一个原型将在2018年出现， 2020-2025年之间会真正现身市场。
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