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IBM 9 日宣布与 GlobalFoundries 、 Samsung 及 SUNY Polytechnic Institute's Colleges 纳米科技工程部携手打造全体首枚仅 7nm 晶片原型，耗电量大幅降低外，运算速度更比现时最高能的晶片快近四倍，令市场震惊。 当时半导体市场仍然关注那家厂商能率先进入 10nm 工艺制程的同时， IBM 突然发布已经制作出只有 7nm 的晶片原型，无疑令市场喜出望外，虽然 7nm 晶片仍需两年时间才进入商用，但这款晶片为全球首款低于 10nm 及首款采用 SiGe 物料的 FinFET 晶片，意义深远。 其采用了最新混合物 Silicon Germanium (SiGe,) 物料打造，相对现时采用纯硅的晶片原料， SiGe 的通断反应更高效，而且功耗要求更低。另外，由该物料打造的 7nm 电晶体已直迫人类 DNA 的尺寸大小 ( 约 2.5nm) 。 另一方面，若电晶体逐渐接近原子尺寸，需采用 Extreme Ultraviolet (EUV) lithography 光刻微影技术，当于 7nm 晶片上进行 EUV 刻印线路时，即使轻微的震动也会对晶片造成破坏，制造厂商需打造成将近零震动的环境下生产。据了解，一台 EUV 设备约为 1.5 亿美元，据称 Intel 、 Samsung 及 tsmc也会导入 EUV 技术。
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