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从2D到3D闪存仿佛是平方到高楼大厦的转变，不过随着各大闪存原厂全面转入3D制程，我们还是能发现，不一样厂商的3D闪存之间存在些许性能不一样。
比如运用3D闪存的Intel 600P连续读写1600/560 MB/s，AS总分1640左右。 
而同样是3D闪存，ToshibaXG5连续读写2770/1960 MB/s，AS总分3600左右。二者相比差距十分显著。 
虽然同为3D闪存，但结构上却存在分歧。Toshiba与三星运用了新的Charge Trap结构，而英特尔与美光继续沿用2D时代Floating Gate结构，这或许就成为不一样3D闪存性能不一样的一个源头。 
英特尔与美光运用老的Floating Gate（FG）最大优势在于成本，除了工艺转换难度小之外，单位芯片面积上可做到更大的容量从而降低成本，当然缺陷也非常显著：空有3D名头，却无高性能之实。 
FG结构在2D闪存时代就已经显示出一项劣势：由于存在写入干扰，写入过程必须被打乱成多个步骤完成。Charge Trap则不存在这种问题，一步编程（写入）有效提升了性能。 
FG结构3D闪存与CT结构3D闪存的差距不仅体现在高端NVMe固态硬盘上，在普通2.5寸SATA接口固态硬盘当中同样表现的十分显著。储存极客就以Toshiba新上市的BiCS 3D闪存固态硬盘TR200 240G为例，与上市更早的Intel/美光3D闪存固态硬盘做个对比。 Intel/美光 32层堆叠3D TLC：PC Mark 8储存测验成绩4904 
ToshibaBiCS 64层堆叠闪存TR200 240G：PC Mark 8储存测验成绩4910。 
虽然从PC Mark 8分数上看二者相差不大，但注意各子项成绩你会发现Intel/美光只在Phtoshop Heavy一项抢到一些分数，其他各项包括游戏启动、基础规划和办公使用软件的效能都不如ToshibaTR200。原因除了闪存自身性能之外，Intel/美光的3D TLC运用了全盘SLC模式，这个模式的优点是空盘时写入快一些，缺点是随着固态硬盘越用越满，速度也会不断下降。 再来看PC Mark 7测验的对比，Intel/美光3D TLC的RAW分比标准分值低，说明该盘在重负载下性能下滑显著。 
反观ToshibaTR200 240G，标准分值比对方更高，同时RAW分值比标准分更高，说明家用运用条件下用的越狠速度越快。 
总结来说，选固态硬盘不能只看厂商的宣传与介绍，虽然同为3D闪存，性能表现也会有很大不一样，至于那些只用一颗3D闪存颗粒制成的山寨固态硬盘，由于并发能力低，性能就更差了。
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