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据追踪内存芯片价格的研究公司DRAMeXchange称，因为NAND的产量增加以满足需要，2018年NAND闪存市场估计将进入更好的平衡状态。 自2016年第三季度以来，NAND市场已经连续6个季度供不应求。据DRAMeXchange称，因为强劲的服务器市场和智能手机内存量的连续增加，2017年市场对NAND的需要将连续增长。与此同时，由于NAND闪存制造商技术向3D NAND等技术转移，使得供应受到限制。 不过，DRAMeXchange预测2018年NAND闪存增长将达到43%，估计需要增长大约是38%。 据DRAMeXchange高级研究经理Alan Chen表示，除了市场领先者三星电子之外的NAND供应商都在经历着因为转向3D NAND制程工艺而导致的生产能力下降。Chan在声明中称：“与此同时，提供商也无法有效利用他们已经得到的额外生产能力。” 但是Chen预测，明年提供商们将在64层和72层NAND堆栈技术上达到成熟。他预测，由于智能手机和PC等消费电子产品的生产在第四季度呈现季度性急剧下滑，因此闪存市场将在2018年第一季度出现短暂的供过于求。
三星自从最近的第三季度以来就一直在大规模生产64层3D NAND。DRAMeXchange预测，到第四季度3D NAND将占到三星NAND产量中的一半还多，到明年这一比例将达到60%-70%。 据DRAMeXchange称，SK Hynix现在采用主流的48层NAND堆栈技术，但是明年72层堆栈将在其产量中占据更大的份额。SK Hynix预测，今年第四季度SK Hynix的NAND闪存产量中3D NAND将占比20%-30%，到2018年第三季度这个比例将增加到40%-50%。 Toshiba和其合作伙伴西部数据在今年上半年主要生产了48层3D NAND。双方的合资公司NAND总产量中有大约30%是3D NAND，到2018年这个比例估计将超过50%。 |
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