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现在，越来越多移动设备和电子设备连接到互联网，据可靠的预测显示，到2020年， 连接到互联网的电子设备将达到500亿台。这个世界因此在经历着前所未有的数据爆炸，和设备连接到互联网，世界正在经历数据爆炸时代，对数据储存的逐年增长的需要驱动着半导体行业飞速的发展。 为了跟上时代的发展，企业数据中心和终端客户都需要有一个全新的储存时代。在这个过程中，NAND闪存是储存的核心。我们之前最熟悉的摩尔定律在发展到10nm左右就出现了无法延续的尴尬。传统的2D NAND闪存，也即平面型闪存，已经无法满足用户对固态硬盘容量的要求。所以寻求新的突破才是正道。
我们先来看看V-NAND长什么样子以及和2D NAND之间的分别，如下图：
上图右是3D NAND的截面图。之所以被称为3D，主要是因为，储存单元的扩展主要沿着竖直方向延伸，就像，我们盖高楼大厦一样，占用很小的地皮资源，通过增加楼层就可以容纳更多的人，同理，3D NAND在有限的面积上，通过增加在垂直方向增加储存单元，就可以实现大容量的储存，符合时代的需要，也将会被时代选择。 与2D NAND相比，V-NAND的储存单元间隔更大。在2D NAND中，两个cell之间的距离一般在15nm左右，而在V-NAND中，两个cell之间的距离可以到40nm。那这个cell之间的距离有什么影响呢？在NAND闪存中，cell离得很近时，会带来比较大的干扰，当cell之间距离变大之后，负面的干扰就会减少很多，这样一来，我们也可以明白，V-NAND的可靠性要比2D NAND强。 下图是，V-NAND的阶梯式互连电路，是不是很漂亮呀！有了它，大容量的固态硬盘也不在话下咯！
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