现在,越来越多移动设备和电子设备连接到互联网,据可靠的预测显示,到2020年, 连接到互联网的电子设备将达到500亿台。这个世界因此在经历着前所未有的数据爆炸,和设备连接到互联网,世界正在经历数据爆炸时代,对数据储存的逐年增长的需要驱动着半导体行业飞速的发展。 为了跟上时代的发展,企业数据中心和终端客户都需要有一个全新的储存时代。在这个过程中,NAND闪存是储存的核心。我们之前最熟悉的摩尔定律在发展到10nm左右就出现了无法延续的尴尬。传统的2D NAND闪存,也即平面型闪存,已经无法满足用户对固态硬盘容量的要求。所以寻求新的突破才是正道。 我们先来看看V-NAND长什么样子以及和2D NAND之间的分别,如下图: 上图右是3D NAND的截面图。之所以被称为3D,主要是因为,储存单元的扩展主要沿着竖直方向延伸,就像,我们盖高楼大厦一样,占用很小的地皮资源,通过增加楼层就可以容纳更多的人,同理,3D NAND在有限的面积上,通过增加在垂直方向增加储存单元,就可以实现大容量的储存,符合时代的需要,也将会被时代选择。 与2D NAND相比,V-NAND的储存单元间隔更大。在2D NAND中,两个cell之间的距离一般在15nm左右,而在V-NAND中,两个cell之间的距离可以到40nm。那这个cell之间的距离有什么影响呢?在NAND闪存中,cell离得很近时,会带来比较大的干扰,当cell之间距离变大之后,负面的干扰就会减少很多,这样一来,我们也可以明白,V-NAND的可靠性要比2D NAND强。 下图是,V-NAND的阶梯式互连电路,是不是很漂亮呀!有了它,大容量的固态硬盘也不在话下咯! |